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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 MT3S20P(TE12L,F)
MT3S20P(TE12L,F)
MT3S20P(TE12L,F)

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Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P(TE12L,F)

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型号

MT3S20P(TE12L,F)

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-MT3S20P(TE12L,F)

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

TO-243AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

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MT3S20P(TE12L,F)
MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

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MT3S20P(TE12L,F)详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P(TE12L,F)重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-243AA

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    12V

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    1.8W

  • Reach合规守则

    unknown

  • 配置

    Single

  • 功率 - 最大

    1.8W

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最大集电极电流

    80mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    100 @ 50mA 5V

  • 增益

    16.5dB

  • 转换频率

    5000MHz

  • 最大击穿电压

    12V

  • 频率转换

    7GHz

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    1.45dB @ 1GHz

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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公司资质

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