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5000

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10000

￥0.675819
15000

￥0.653596
50000

￥0.642675

Toshiba Semiconductor and Storage RN2103ACT(TPL3)

Name: RN2103ACT(TPL3)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-RN2103ACT(TPL3)
Price: 1.38 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RN2103ACT(TPL3)

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN2103ACT(TPL3)

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

SC-101, SOT-883

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

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RN2103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

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RN2103ACT(TPL3)详情

技术参数

Toshiba Semiconductor and Storage RN2103ACT(TPL3)重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-101, SOT-883
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Number of Elements

1
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2014
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

100mW
Reach合规守则

unknown
功率 - 最大

100mW
极性/通道类型

PNP
晶体管类型

PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

150mV
最大集电极电流

80mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 250μA, 5mA
最大击穿电压

50V
电阻基(R1)

22 k Ω
电阻-发射极基极(R2)

22 k Ω
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

RN2103ACT(TPL3)拓展信息

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