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RN2103MFV,L3F

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Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV,L3F

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对比

型号

RN2103MFV,L3F

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN2103MFV,L3F

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

SOT-723

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor

起订量

1最小包装量--

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RN2103MFV,L3F

RN2103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor

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RN2103MFV,L3F详情

技术参数

Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV,L3F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-723
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2016
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
功率 - 最大

150mW
晶体管类型

PNP - Pre-Biased
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 5mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
电阻基(R1)

22 k Ω
电阻-发射极基极(R2)

22 k Ω
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

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