Toshiba Semiconductor and Storage RN2107ACT(TPL3)

包装/外壳

SC-101, SOT-883

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

hFEMin

80

Number of Elements

1

已出版

2014

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

100mW

Reach合规守则

unknown

极性

PNP

元素配置

Single

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

150mV

最大集电极电流

80mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 250μA, 5mA

最高频率

200MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

电阻基(R1)

10 k Ω

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

47 k Ω

RoHS状态

符合RoHS标准