Toshiba Semiconductor and Storage RN2112,LXHF(CT

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-75, SOT-416

供应商器件包装

SSM

厂商

东芝半导体与存储

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Qualification

AEC-Q200

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

100 mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

120 at - 1 mA, - 5 V

Typical Input Resistor

22 kOhms

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

RN2112,LXHF(CB

Manufacturer

Toshiba

Brand

Toshiba

Maximum Operating Frequency

200 MHz

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

系列

Automotive, AEC-Q101

包装

MouseReel

子类别

Transistors

配置

Single

功率 - 最大

100 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

200 MHz

电阻基(R1)

22 kOhms

连续集电极电流

100 mA

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased