Toshiba Semiconductor and Storage RN2117(T5L,F,T)

Name: RN2117(T5L,F,T)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-RN2117(T5L,F,T)
Availability: InStock
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对比

型号

RN2117(T5L,F,T)

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN2117(T5L,F,T)

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

SC-75, SOT-416

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

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RN2117(T5L,F,T)详情

技术参数

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Toshiba Semiconductor and Storage RN2117(T5L,F,T)重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-75, SOT-416
供应商器件包装

SSM
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2014
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

100mW
功率 - 最大

100mW
晶体管类型

PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

300mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
最大击穿电压

50V
频率转换

200MHz
电阻基(R1)

10 kOhms
电阻-发射极基极(R2)

4.7 kOhms
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

RN2117(T5L,F,T)拓展信息

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