Toshiba Semiconductor and Storage RN2903,LF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

200mW

功率 - 最大

200mW

晶体管类型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

最大击穿电压

50V

频率转换

200MHz

电阻基(R1)

22k Ω

电阻-发射极基极(R2)

22k Ω

RoHS状态

符合RoHS标准