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10

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500

￥1.524995
1000

￥1.438674

Toshiba Semiconductor and Storage RN4606(TE85L,F)

Name: RN4606(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-RN4606(TE85L,F)
Price: 1.82 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RN4606(TE85L,F)

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN4606(TE85L,F)

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

SC-74, SOT-457

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP NPN 100mA -50V

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RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP NPN 100mA -50V

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RN4606(TE85L,F)详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage RN4606(TE85L,F)重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

11 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-74, SOT-457
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Number of Elements

2
hFEMin

80
包装

Cut Tape (CT)
已出版

2014
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

300mW
极性

NPN, PNP
元素配置

Dual
晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

300mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

100μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA
最大击穿电压

50V
频率转换

200MHz 250MHz
发射极基极电压 (VEBO)

5V
电阻基(R1)

4.7k Ω
连续集电极电流

100mA
电阻-发射极基极(R2)

47k Ω
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

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