Toshiba Semiconductor and Storage RN4987,LF(CT

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件包装

US6

质量

6.010099mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

hFEMin

80

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

200mW

极性

NPN, PNP

通道数量

2

功率 - 最大

200mW

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

最大击穿电压

50V

频率转换

250MHz 200MHz

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

电阻基(R1)

10kOhms

连续集电极电流

-100mA

电阻-发射极基极(R2)

47kOhms

RoHS状态

符合RoHS标准