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1

￥0.226972
10

￥0.214125
100

￥0.202005
500

￥0.190571
1000

￥0.179784

Toshiba Semiconductor and Storage RN4987,LF(CT

Name: RN4987,LF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-RN4987,LF(CT
Price: 0.23 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RN4987,LF(CT

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN4987,LF(CT

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

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RN4987,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

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RN4987,LF(CT详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage RN4987,LF(CT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件包装

US6
质量

6.010099mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
hFEMin

80
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2014
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

200mW
极性

NPN, PNP
通道数量

2
功率 - 最大

200mW
晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

300mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
最大击穿电压

50V
频率转换

250MHz 200MHz
发射极基极电压 (VEBO)

-6V
电阻基(R1)

10kOhms
连续集电极电流

-100mA
电阻-发射极基极(R2)

47kOhms
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

RN4987,LF(CT拓展信息

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