Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J331R,LF

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-3 Flat Leads

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Power Dissipation (Max)

1W Ta

系列

U-MOSVI

已出版

2004

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

元素配置

Single

功率耗散

1W

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

55m Ω @ 3A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

630pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.4nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

-20V

RoHS状态

符合RoHS标准