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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BF,LF

Name: SSM3K7002BF,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-SSM3K7002BF,LF
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SSM3K7002BF,LF

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-SSM3K7002BF,LF

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 60V 20VGSS

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SSM3K7002BF,LF Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 60V 20VGSS

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SSM3K7002BF,LF详情

技术参数

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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BF,LF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V
Power Dissipation (Max)

200mW Ta
Turn Off Delay Time

14.5 ns
操作温度

150°C TJ
包装

Cut Tape (CT)
系列

U-MOSIV
已出版

2014
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
通道数量

1
元素配置

Single
接通延迟时间

3.3 ns
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

2.1 Ω @ 500mA, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

17pF @ 25V
Vgs（最大值）

±20V
连续放电电流(ID)

200mA
栅极至源极电压(Vgs)

3.1V
漏源击穿电压

60V
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BF,LF.

数据表 :
SSM3K7002BF

SSM3K7002BF,LF拓展信息

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