SSM6J207FE,LF
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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J207FE,LF

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型号

SSM6J207FE,LF

utmel 编号

2541-SSM6J207FE,LF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6

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SSM6J207FE,LF
SSM6J207FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6

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SSM6J207FE,LF详情

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J207FE,LF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 引脚数

    6

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.4A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    500mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    14 ns

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    2.6V @ 1mA

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    U-MOSII

  • 已出版

    2009

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 通道数量

    1

  • 接通延迟时间

    15 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    251m Ω @ 650mA, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    137pF @ 15V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    1.4A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J207FE,LF.

右边的3个型号有着和Toshiba Semiconductor and Storage & SSM6J207FE,LF相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Continuous Drain Current (ID)
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation-Max
    Mounting Type
    查看对比:
  • SSM6J207FE,LF

    SSM6J207FE,LF

    Surface Mount

    SOT-563, SOT-666

    30V

    1.4A (Ta)

    1.4 A

    20 V

    500mW (Ta)

    Surface Mount

  • SCH1345-TL-H

    Surface Mount

    SOT-563, SOT-666

    -

    485mA

    600 mA

    6 V

    -

    Surface Mount

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