Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W,S1X

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

6.000006g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

130W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 690μA

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

DTMOSIV

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

通道数量

1

元素配置

Single

接通延迟时间

60 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 6.9A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 300V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

13.7A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

650V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准