Toshiba Semiconductor and Storage TK17E65W,S1X

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17.3A Ta

Power Dissipation (Max)

165W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 900μA

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

DTMOSIV

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 8.7A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800pF @ 300V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

17.3A

RoHS状态

符合RoHS标准