Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60U(F)

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Turn Off Delay Time

100 ns

已出版

2009

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

DTMOSII

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

功率耗散

190W

接通延迟时间

80 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1470pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27nC @ 10V

上升时间

40ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

宽度

4.8mm

高度

19mm

长度

40.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准