Toshiba Semiconductor and Storage TK2A65D(STA4,Q,M)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220SIS

Power Dissipation (Max)

30W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

π-MOSVII

已出版

2009

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.26Ohm @ 1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

380pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC @ 10V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

输入电容

380pF

最大rds

3.26 Ω

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准