Toshiba Semiconductor and Storage TK40P04M1(T6RSS-Q)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

47W Tc

Turn Off Delay Time

63 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.3V @ 200μA

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

U-MOSVI-H

已出版

2009

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

47W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

27 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1920pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

18 ns

连续放电电流(ID)

40A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

40V

高度

2.3mm

长度

10mm

宽度

6.1mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准