Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB(T6RSS-Q)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

80W Tc

系列

π-MOSVII

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

功率耗散

80W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 1.9A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

540pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 10V

上升时间

18ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

3.7A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅