Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60D(STA4,Q,M)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

Power Dissipation (Max)

35W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

系列

π-MOSVII

已出版

2010

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

功率耗散

35W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.43 Ω @ 2.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

5A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准