Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60D(STA4,Q,M)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

π-MOSVII

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.25 Ω @ 3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

DS 击穿电压-最小值

600V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准