TPCA8065-H,LQ(S
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Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8065-H,LQ(S

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型号

TPCA8065-H,LQ(S

utmel 编号

2541-TPCA8065-H,LQ(S

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOP

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TPCA8065-H,LQ(S
TPCA8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOP

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TPCA8065-H,LQ(S详情

Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8065-H,LQ(S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    8-SOP Advance (5x5)

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    16A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    1.6W Ta 25W Tc

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    U-MOSVII-H

  • 已出版

    2009

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    11.4mOhm @ 8A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.3V @ 200μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1600pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    20nC @ 10V

  • 上升时间

    2.2ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    2.3 ns

  • 连续放电电流(ID)

    16A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 输入电容

    1.6nF

  • 最大rds

    11.4 mΩ

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8065-H,LQ(S.

右边的3个型号有着和Toshiba Semiconductor and Storage & TPCA8065-H,LQ(S相似的参数规格。

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TPCA8065-H,LQ(S拓展信息

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