Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01(TE85L)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2V 4.5V

Power Dissipation (Max)

330mW Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

U-MOSIII

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

20V

额定电流

3A

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

49m Ω @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 200μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

590pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.5nC @ 5V

上升时间

3ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

4.4 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅