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Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01(TE85L,F,M

Name: TPCF8B01(TE85L,F,M
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-TPCF8B01(TE85L,F,M
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

TPCF8B01(TE85L,F,M

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-TPCF8B01(TE85L,F,M

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-SMD, Flat Lead

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

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TPCF8B01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

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TPCF8B01(TE85L,F,M详情

技术参数

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Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01(TE85L,F,M重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-SMD, Flat Lead
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V
Power Dissipation (Max)

330mW Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.2V @ 200μA
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

U-MOSIII
已出版

2003
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

110m Ω @ 1.4A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

470pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)

20V
Vgs（最大值）

±8V
场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

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