Toshiba Semiconductor and Storage TRS4E65H,S1Q

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-2

供应商器件包装

TO-220-2L

厂商

东芝半导体与存储

包装

Tube

零件状态

活跃

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向泄漏电流@ Vr

55 µA @ 650 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.35 V @ 4 A

工作温度 - 结点

175°C

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

650 V

平均整流电流（Io）

4A

电容@Vr, F

263pF @ 1V, 1MHz

反向恢复时间(trr)

0 ns