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首页 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 TRS4E65H,S1Q
TRS4E65H,S1Q
TRS4E65H,S1Q

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Toshiba Semiconductor and Storage TRS4E65H,S1Q

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型号

TRS4E65H,S1Q

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-TRS4E65H,S1Q

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

TO-220-2

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

G3 SIC-SBD 650V 4A TO-220-2L

起订量

1最小包装量--

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TRS4E65H,S1Q
TRS4E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage G3 SIC-SBD 650V 4A TO-220-2L

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TRS4E65H,S1Q详情

技术参数

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Toshiba Semiconductor and Storage TRS4E65H,S1Q重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-2

  • 供应商器件包装

    TO-220-2L

  • 厂商

    东芝半导体与存储

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    活跃

  • 速度

    No Recovery Time > 500mA (Io)

  • 反向泄漏电流@ Vr

    55 µA @ 650 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.35 V @ 4 A

  • 工作温度 - 结点

    175°C

  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

    650 V

  • 平均整流电流（Io）

    4A

  • 电容@Vr, F

    263pF @ 1V, 1MHz

  • 反向恢复时间(trr)

    0 ns

0个相似型号

技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage TRS4E65H,S1Q.

TRS4E65H,S1Q拓展信息

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公司资质

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