IRF9130
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TT Electronics Resistors IRF9130

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型号

IRF9130

utmel 编号

2577-IRF9130

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

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IRF9130 TT Electronics Resistors Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

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IRF9130详情

TT Electronics Resistors IRF9130重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Ihs Manufacturer

    TT ELECTRONICS PLC

  • Package Description

    HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    11 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    METAL

  • Package Shape

    ROUND

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    O-MBFM-P2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-3

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.35 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    50 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    81 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: TT Electronics Resistors IRF9130.

IRF9130拓展信息

IP137K-DESC
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TT Electronics

IP7805K
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TT Electronics

SML0505FN
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TT Electronics

IP137HVIG-DESC
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TT Electronics

IRFY230
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TT Electronics

IP137MH
IP137MH

TT Electronics

IP7812AIG
IP7812AIG

TT Electronics

LM137-220M
LM137-220M

TT Electronics

IP137HVG-DESC
IP137HVG-DESC

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IP7805AG
IP7805AG

TT Electronics

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