VBsemi Elec FDD6530A-VB
- 收藏
- 对比
FDD6530A-VB
2638-FDD6530A-VB
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

30V 21.8A 3.25W 2V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS
1最小包装量--
FDD6530A-VB详情
VBsemi Elec FDD6530A-VB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
true
Drain Source Voltage (Vdss)
30V
Power Dissipation (Pd)
3.25W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
2V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
370pF@15V
Input Capacitance (Ciss@Vds)
2.201nF@15V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)
Package
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55℃~+175℃@(Tj)
类型
1 N-channel
Continuous Drain Current (Id)
21.8A
FDD6530A-VB拓展信息
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec







哦! 它是空的。