MMBF0201NLT1G-VB
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VBsemi Elec MMBF0201NLT1G-VB

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型号

MMBF0201NLT1G-VB

utmel 编号

2638-MMBF0201NLT1G-VB

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

20V 6A 28mΩ@4.5V,5A 2.1W 1V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

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MMBF0201NLT1G-VB
MMBF0201NLT1G-VB VBsemi Elec 20V 6A 28mΩ@4.5V,5A 2.1W 1V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

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MMBF0201NLT1G-VB详情

VBsemi Elec MMBF0201NLT1G-VB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • RoHS

    true

  • Drain Source Voltage (Vdss)

    20V

  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

    28mΩ@4.5V,5A

  • Power Dissipation (Pd)

    2.1W

  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

    1V@250uA

  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

    55pF@10V

  • Input Capacitance (Ciss@Vds)

    865pF@10V

  • Total Gate Charge (Qg@Vgs)

    [email protected]

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55℃~+150℃@(Tj)

  • 类型

    1 N-Channel

  • Continuous Drain Current (Id)

    6A

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MMBF0201NLT1G-VB拓展信息

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