SI3552DV-T1-GE3
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VISHAY SI3552DV-T1-GE3

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型号

SI3552DV-T1-GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SI3552DV-T1-GE3

商品类别

端子 - 电线引脚连接器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A

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SI3552DV-T1-GE3
SI3552DV-T1-GE3 VISHAY Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A

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SI3552DV-T1-GE3详情

VISHAY SI3552DV-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Type of transistor

    N/P-MOSFET

  • Polarisation

    unipolar

  • Drain-source voltage

    30/-30V

  • Drain current

    2.5/-1.8A

  • Pulsed drain current

    -7...8A

  • Case

    TSOP6

  • Gate-source voltage

    ±20V

  • Mounting

    SMD

  • Kind of package1

    tape

  • Kind of package

    reel

  • Kind of channel

    enhanced

  • Gross weight

    0.1g

  • Certificates

    RoHS compliant

  • Power dissipation

    1.15W

  • Gate charge

    3.6/3.2nC

  • On-state resistance

    360/175mΩ

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SI3552DV-T1-GE3拓展信息

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