SI4931DY-T1-GE3
SI4931DY-T1-GE3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥17.744647

  • 10

    ¥16.740237

  • 100

    ¥15.792673

  • 500

    ¥14.898745

  • 1000

    ¥14.055424

VISHAY SI4931DY-T1-GE3

  • 收藏
  • 对比

型号

SI4931DY-T1-GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SI4931DY-T1-GE3

商品类别

端子 - 电线引脚连接器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
SI4931DY-T1-GE3
SI4931DY-T1-GE3 VISHAY Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8

单价: $

合计:

库存:32700

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SI4931DY-T1-GE3详情

VISHAY SI4931DY-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Type of transistor

    P-MOSFET x2

  • Polarisation

    unipolar

  • Drain-source voltage

    -12V

  • Drain current

    -8.9A

  • Pulsed drain current

    -30A

  • Case

    SO8

  • Gate-source voltage

    ±8V

  • Mounting

    SMD

  • Kind of package1

    tape

  • Kind of package

    reel

  • Kind of channel

    enhanced

  • Gross weight

    0.1g

  • Certificates

    RoHS compliant

  • Power dissipation

    2W

  • Gate charge

    52nC

  • On-state resistance

    28mΩ

0个相似型号

SI4931DY-T1-GE3拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z