Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40MT120PHAPBF

安装类型

通孔

包装/外壳

12-MTP Module

供应商器件包装

12-MTP

厂商

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package

Tube

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

75 A

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Pd - Power Dissipation

305 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.24 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

105

Continuous Collector Current at 25 C

75 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Vishay

Brand

Vishay Semiconductors

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

系列

-

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

包装

Tube

子类别

IGBTs

配置

半桥

功率 - 最大

305 W

输入

Standard

产品类别

IGBT模块

最大集极截止电流

50 μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.65V @ 15V, 40A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

3.2 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块