IRF640S
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Vishay Siliconix IRF640S

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型号

IRF640S

utmel 编号

2265-IRF640S

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

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IRF640S
IRF640S Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

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IRF640S详情

Vishay Siliconix IRF640S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 供应商器件包装

    D2PAK

  • 质量

    2.240009g

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    18A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    3.1W Ta 130W Tc

  • Turn Off Delay Time

    45 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2016

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电阻

    180mOhm

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    200V

  • 额定电流

    18A

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 接通延迟时间

    14 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    180mOhm @ 11A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1300pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    70nC @ 10V

  • 上升时间

    51ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    200V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    36 ns

  • 连续放电电流(ID)

    18A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    200V

  • 输入电容

    1.3nF

  • 漏源电阻

    180mOhm

  • 最大rds

    180 mΩ

  • 高度

    4.83mm

  • 长度

    10.67mm

  • 宽度

    9.65mm

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    含铅

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技术文档: Vishay Siliconix IRF640S.

IRF640S拓展信息

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