Vishay Siliconix IRF644
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IRF644
2265-IRF644
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
1最小包装量--
IRF644详情
Vishay Siliconix IRF644重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
质量
6.000006g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
125W Tc
Turn Off Delay Time
53 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
250V
额定电流
14A
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
125W
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
280mOhm @ 8.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
68nC @ 10V
上升时间
24ns
漏源电压 (Vdss)
250V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
49 ns
连续放电电流(ID)
14A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
250V
输入电容
1.3nF
漏源电阻
280mOhm
最大rds
280 mΩ
高度
9.01mm
长度
10.41mm
宽度
4.7mm
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
无铅
IRF644拓展信息









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