WNSC2M40120R6Q
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WeEn Semiconductors WNSC2M40120R6Q

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型号

WNSC2M40120R6Q

utmel 编号

2700-WNSC2M40120R6Q

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W

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WNSC2M40120R6Q
WNSC2M40120R6Q WeEn Semiconductors Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W

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WNSC2M40120R6Q详情

WeEn Semiconductors WNSC2M40120R6Q重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Type of transistor

    N-MOSFET

  • Polarisation

    unipolar

  • Drain-source voltage

    1.2kV

  • Drain current

    52A

  • Pulsed drain current

    100A

  • Case

    TO247-4

  • Gate-source voltage

    -12...22V

  • Mounting

    THT

  • Kind of package

    tube

  • Kind of channel

    enhanced

  • Features of semiconductor devices

    Kelvin terminal

  • Gross weight

    5g

  • Certificates

    RoHS compliant

  • Power dissipation

    405W

  • Gate charge

    19nC

  • On-state resistance

    55mΩ

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WNSC2M40120R6Q拓展信息

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