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1

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10

￥58.46845
100

￥55.158917
500

￥52.036715
1000

￥49.091241

WeEn Semiconductors WNSCM80120RQ

Name: WNSCM80120RQ
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: 2700-WNSCM80120RQ
Price: 61.98 USD
Availability: InStock
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对比

型号

WNSCM80120RQ

品牌

WeEn Semiconductors

utmel 编号

2700-WNSCM80120RQ

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-247-4

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor MOSFET N-CH 1200V 45A 3-Pin TO-247 Tube

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WNSCM80120RQ WeEn Semiconductors Transistor MOSFET N-CH 1200V 45A 3-Pin TO-247 Tube

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WNSCM80120RQ详情

技术参数

WeEn Semiconductors WNSCM80120RQ重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-247-4
供应商器件包装

TO-247-4L
Package

Bulk
Base Product Number

WNSCM80120
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

45A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V
厂商

威恩半导体
Power Dissipation (Max)

270W (Ta)
Product Status

活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

240
Part # Aliases

934072810127
Manufacturer

威恩半导体
Brand

威恩半导体
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

-
子类别

MOSFETs
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

98mOhm @ 20A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 6mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1350 pF @ 1000 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

59 nC @ 20 V
漏源电压 (Vdss)

1200 V
Vgs（最大值）

+25V, -10V
产品类别

MOSFET
场效应管特性

-
产品类别

MOSFET

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