WeEn Semiconductors WNSCM80120WQ

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

TO-247-3

Package

Bulk

Base Product Number

WNSCM80120

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

厂商

威恩半导体

Power Dissipation (Max)

230W (Ta)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 6mA

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

600

Part # Aliases

934072808127

Manufacturer

威恩半导体

Brand

威恩半导体

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

子类别

MOSFETs

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1350 pF @ 1000 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

59 nC @ 20 V

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

+25V, -10V

产品类别

MOSFET

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET