W949D2CBJX5E详情
Winbond W949D2CBJX5E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
90
终端数量
90
RoHS
Compliant
Memory Types
LPDDR, RAM, SDRAM
Package Description
8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
16000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA90,9X15,32
Operating Temperature-Min
-25 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
W949D2CBJX5E
Clock Frequency-Max (fCLK)
200 MHz
Number of Words
16777216 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Winbond Electronics Corp
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
WINBOND ELECTRONICS CORP
Risk Rank
1.26
Part Package Code
BGA
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-25 °C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
频率
200 MHz
引脚数量
90
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8 V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
1.8 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
界面
Parallel
最大电源电压
1.95 V
最小电源电压
1.7 V
端口的数量
1
电源电流
55 mA
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.075 mA
组织结构
16MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.025 mm
内存宽度
32
地址总线宽度
15 b
密度
512 Mb
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
536870912 bit
最高频率
200 MHz
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8,16
交错突发长度
2,4,8,16
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
宽度
8 mm
长度
13 mm
W949D2CBJX5E拓展信息
Winbond
Winbond
Winbond
Winbond
Winbond
Winbond
Winbond
Winbond
Winbond
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