W972GG8KB-25
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Winbond W972GG8KB-25

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型号

W972GG8KB-25

品牌

Winbond

utmel 编号

2736-W972GG8KB-25

商品类别

连接器,连接线

封装

WBGA-60

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.50 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-60

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W972GG8KB-25 Winbond DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.50 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-60

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W972GG8KB-25详情

Winbond W972GG8KB-25重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    WBGA-60

  • 安装类型

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    84-WBGA (8x12.5)

  • 终端数量

    60

  • Schedule B

    8542320023, 8542320023/8542320023, 8542320023/8542320023/8542320023, 8542320023/8542320023/8542320023/8542320023

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Moisture Sensitive

  • Maximum Operating Temperature

    + 85 C

  • Supply Voltage-Max

    1.9 V

  • Minimum Operating Temperature

    0 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    189

  • Supply Voltage-Min

    1.7 V

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Manufacturer

    Winbond

  • Brand

    Winbond

  • Package

    Tray

  • Base Product Number

    W972GG8

  • 厂商

    Winbond Electronics

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • Package Description

    8 X 12.50 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-60

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    256000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Access Time-Max

    0.4 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    W972GG8KB-25

  • Number of Words

    268435456 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    WINBOND ELECTRONICS CORP

  • Risk Rank

    5.67

  • 系列

    W972GG8KB

  • 操作温度

    0°C ~ 85°C (TC)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    SDRAM - DDR2

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • 子类别

    Memory & Data Storage

  • 技术

    SDRAM - DDR2

  • 电压 - 供电

    1.7V ~ 1.9V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B60

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 内存大小

    2 Gbit

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    400 MHz

  • 电源电流-最大值

    75 mA

  • 访问时间

    400 ps

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    8 bit

  • 组织结构

    256 M x 8

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • 产品类别

    DRAM

  • 记忆密度

    2147483648 bit

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 访问模式

    多库页面突发

  • 自我刷新

    YES

  • 产品类别

    DRAM

  • 组织的记忆

    256M x 8

  • 宽度

    8 mm

  • 长度

    12.5 mm

0个相似型号

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