category.集成电路IC_category.集成电路IC品牌厂家，型号_价格_规格

类别是'category.存储器' (10000)

所有品牌

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	界面	内存大小	端口的数量	电源电流	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	数据率	内存接口	建筑学	数据总线宽度	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	同步/异步	字长	数据保持时间	写入保护	待机电压-最小值	备用内存宽度	刷新周期	顺序突发长度	交错突发长度	座位高度(最大)	长度
GS88018CGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SDR	Details	SyncBurst	Industrial grade								181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	-40 to 85 °C	Tray		GS88018CGT							Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												100									9 Mbit	2				165 mA, 200 mA	5.5 ns				Flow-Through/Pipelined		512 k x 18					19 Bit	SRAM	9 Mbit			Industrial																	SRAM
GS81302T37E-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	Industrial grade								350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	-40 to 100 °C	Tray		GS81302T37E							SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												165									144 Mbit	1				905 mA					Pipelined		4 M x 36					21 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial																	SRAM
GS8673ED18BGK-625I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-260	YES	260	1.3500 V	1.3 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.4 V	表面贴装	有	625 MHz	+ 100 C	1.4 V	- 40 C	8	1.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-IIIe	Details	DDR	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	GS8673ED18BGK-625I	1.35 V	HBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.73	Industrial grade					625/400 MHz	BGA	QDR	-40 to 85 °C	Tray		GS8673ED18BGK						3A991.B.2.B	SigmaQuad-IIIe B4			8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant			260	R-PBGA-B260			1.4 V			1.3 V		72 Mbit			SYNCHRONOUS		2.11 A			1.25 Gb/s		Pipelined		4 M x 18		2.3 mm	18		20 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL				DDR SRAM							SRAM		22 mm	14 mm
GS8642Z72C-250M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-209	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Military grade								153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	72 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	250 MHz	+ 125 C	3.6 V	- 55 C	14	2.3 V	-55 to 125 °C			GS8642Z72C							NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												209									72 Mbit	8				500 mA	6.5 ns				Flow-Through/Pipelined		1 M x 72					20 Bit	SRAM	72 Mbit			Military																	SRAM
GS71108AGU-10	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48				TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000	PLASTIC/EPOXY	未说明	10 ns	70 °C	有	GS71108AGU-10	131072 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA							e1	有				3A991.B.2.B		锡银铜		8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1		0.75 mm	compliant			48	R-PBGA-B48	不合格		3.6 V		COMMERCIAL	3 V					ASYNCHRONOUS									128KX8		1.2 mm	8						1048576 bit		PARALLEL				标准SRAM														8 mm	6 mm
W25Q20EWSNIG	Winbond Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES	Non-Volatile					-40°C~85°C TA	Tray	2016	SpiFlash®			活跃	3 (168 Hours)	8								1.65V~1.95V	DUAL			1	1.8V	1.27mm					R-PDSO-G8	不合格		1.95V	1.8V		1.65V	SPI, Serial	2Mb 256K x 8			SYNCHRONOUS	104MHz			FLASH		SPI			2MX1			1	800μs				0.0000075A	2097152 bit							1.8V	SPI	100000 Write/Erase Cycles		20	HARDWARE/SOFTWARE							1.75mm	4.85mm	3.9mm			ROHS3 Compliant
CAT25010YI-G	ON Semiconductor	数据表	31 In Stock	1: ¥1.389600 10: ¥1.310942 100: ¥1.236736 500: ¥1.166732 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	20 Weeks	Gold	表面贴装	表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)	8	Industrial grade			Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tube	2008		e4	yes	活跃	1 (Unlimited)	8								1.8V~5.5V	DUAL		260	1	5V	0.65mm				8			5V					SPI, Serial	1Kb 128 x 8		2mA		20MHz		75 ns	EEPROM		SPI						8	5ms			1 kb	0.000002A									SPI	1000000 Write/Erase Cycles	5ms	100	HARDWARE/SOFTWARE							1.2mm	4.4mm	3mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅
93C76C-E/P	Microchip Technology	数据表	960 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	Tin	通孔	通孔	8-DIP (0.300, 7.62mm)	8	Non-Volatile			-40°C~125°C TA	Tube	2004		e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99							4.5V~5.5V	DUAL			1	5V	2.54mm			93C76C	8			5V		5V			Serial	8Kb 1K x 8 512 x 16		3mA		3MHz		100 ns	EEPROM		SPI			512X16			16	2ms			8 kb	0.000005A									MICROWIRE	1000000 Write/Erase Cycles	2ms	200	HARDWARE/SOFTWARE		8					5.334mm	9.27mm	7.62mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
IS42S16800F-6TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	数据表	1500 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	Tin	表面贴装	表面贴装	54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)	54	Industrial grade			Volatile	-40°C~85°C TA	Tray					活跃	3 (168 Hours)	54	EAR99			AUTO/SELF REFRESH				3V~3.6V	DUAL			1	3.3V	0.8mm				54		不合格	3.3V	3.6V			3V		128Mb 8M x 16	1	120mA	SYNCHRONOUS	166MHz		5.4ns	DRAM		Parallel		16b	8MX16	3-STATE		16		12b		128 Mb	0.002A				COMMON												4096	1248FP	1248		1.2mm	22.22mm				ROHS3 Compliant
S34ML02G100BHB000	Cypress Semiconductor Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	63-VFBGA	YES	63	Non-Volatile	Automotive grade				-40°C~105°C TA	Tray	2016	ML-1			Discontinued	3 (168 Hours)	63					8542.32.00.51			2.7V~3.6V	BOTTOM		未说明	1	3.3V	0.8mm		未说明						3.6V			2.7V		2Gb 256M x 8			ASYNCHRONOUS				FLASH		Parallel			256MX8			8	25ns					2147483648 bit	AEC-Q100						3V												1mm	11mm	9mm			ROHS3 Compliant
GS8673ET18BGK-550	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-260	YES	260	BGA	DDR	1.3500 V	1.25 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.4 V	表面贴装	有	550 MHz	+ 85 C	1.4 V	0 C	8	1.25 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-IIIe	Details	DDR-III	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.4 ns	85 °C	有	GS8673ET18BGK-550	1.3 V	HBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.72	Commercial grade					550/375 MHz	0 to 70 °C	Tray		GS8673ET18BGK						3A991.B.2.B	SigmaDDR-IIIe B2		IT ALSO OPERATES AT 1.35 V TYPICAL VOLTAGE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant			260	R-PBGA-B260			1.4 V		OTHER	1.25 V		72 Mbit			SYNCHRONOUS		1.49 A					Pipelined		4 M x 18		2.3 mm	18			SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Commercial	PARALLEL				DDR SRAM							SRAM		22 mm	14 mm
GS8182T19BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
S25FL128SAGMFIG10	Cypress Semiconductor Corp	数据表	87 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	Tin	表面贴装	表面贴装	16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)	16	Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tray	2013	FL-S	e3		活跃	3 (168 Hours)	16				ALSO CONFIGURABLE AS 128M X 1	8542.32.00.51			2.7V~3.6V	DUAL			1	3V	1.27mm						不合格	3V	3.6V			2.7V	SPI, Serial	128Mb 16M x 8		90mA		133MHz		8 ns	FLASH		SPI - Quad I/O						8		1b		128 Mb	0.0001A					Synchronous	1b		3V	SPI	100000 Write/Erase Cycles	500ms	20	HARDWARE/SOFTWARE		2					2.65mm	10.3mm				ROHS3 Compliant
CY7C15632KV18-450BZXI	Cypress Semiconductor Corp	数据表	17 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	表面贴装	表面贴装	165-LBGA	165				Volatile	-40°C~85°C TA	Tray	2003		e1		活跃	3 (168 Hours)	165			Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构				1.7V~1.9V	BOTTOM		260	1	1.8V	1mm		30	CY7C15632	165			1.8V	1.9V			1.7V		72Mb 4M x 18	2	780mA		450MHz		450 ps	SRAM		Parallel			4MX18	3-STATE		18		20b		72 Mb	0.34A				SEPARATE	Synchronous	18b								1.7V						1.4mm	15mm		无		ROHS3 Compliant	无铅
CY7C1668KV18-450BZXC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	2259 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	表面贴装	表面贴装	165-LBGA	165				Volatile	0°C~70°C TA	Tray	2014		e1		活跃	3 (168 Hours)	165			Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构				1.7V~1.9V	BOTTOM		260	1	1.8V			40	CY7C1668	165			1.8V						144Mb 8M x 18	1	790mA		450MHz		450 ps	SRAM		Parallel						18		22b		144 Mb						Synchronous	18b																	无		ROHS3 Compliant
GS81302TT19E-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR-II	Commercial grade								450 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	表面贴装	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	0 to 85 °C	Tray		GS81302TT19E							SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												165									144 Mbit	1				1 A					Pipelined		8 M x 18						SRAM	144 Mbit			Commercial																	SRAM
GS81302TT10E-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	Industrial grade								450 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	-40 to 100 °C	Tray		GS81302TT10E							SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												165									144 Mbit	1				1.01 A					Pipelined		16 M x 9					23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial																	SRAM
GS71108AGU-7I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7 ns	85 °C	有	GS71108AGU-7I	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Industrial grade						FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	128 kWords	8 Bit	3.6 V	表面贴装	TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000	-40 to 85 °C				e1	有				3A991.B.2.B		锡银铜		8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1		0.75 mm	compliant			48	R-PBGA-B48	不合格		3.6 V		INDUSTRIAL	3 V			1		ASYNCHRONOUS									128KX8		1.2 mm	8		17 Bit		1 Mbit		1048576 bit	Industrial	PARALLEL				标准SRAM														8 mm	6 mm
GS88132CD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel					LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	70 °C	无	GS88132CD-250	262144 words	3.3 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.16	BGA				GS88132CD						3A991.B.2.B			ALSO OPERATES WITH 2.3V TO 2.7V SUPPLY, FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant			165	R-PBGA-B165	不合格		3.6 V		COMMERCIAL	3 V		9 Mbit			SYNCHRONOUS		155 mA, 195 mA	5.5 ns						256KX32		1.4 mm	32						9		SERIAL				缓存SRAM														15 mm	13 mm
GS81302D20E-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	Commercial grade								400 MHz	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	0 to 85 °C	Tray		GS81302D20E							SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage																					144 Mbit	2				1.175 A					Pipelined		8 M x 18					21 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial																	SRAM
GS880E18CGT-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks			TQFP-100	YES		100	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	66	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS880E18CGT-150V	150 MHz	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	QFP	Commercial grade		0 to 70 °C	Tray		GS880E18CGT	e3	有				3A991.B.2.B	DCD	纯哑光锡	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1		0.65 mm	compliant			100	R-PQFP-G100	不合格		2 V	1.8/2.5 V	COMMERCIAL	1.7 V		9 Mbit	2		SYNCHRONOUS		105 mA, 115 mA	7.5 ns				Flow-Through/Pipelined		512 k x 18	3-STATE	1.6 mm	18		18 Bit	SRAM	9 Mbit	0.025 A	9437184 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON			缓存SRAM		1.7 V					SRAM	20 mm	14 mm
GS81302D18E-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II	Industrial grade								333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray		GS81302D18E							SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												165									144 Mbit	2				900 mA					Pipelined		8 M x 18					21 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial																	SRAM
GS81302T38E-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165								FBGA	1.8000 V	1.7 V	36 Bit	1.9 V	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	Industrial grade	-40 to 100 °C	Tray		GS81302T38E							SigmaDDR-II+				Memory & Data Storage												165									144 Mbit					1.31 A	0.45						4 M x 36						SRAM			144	Industrial																	SRAM
GS81284Z36GB-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	3.6 V	- 40 C	10	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Industrial grade								125@Flow-Through/167@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	167 MHz	+ 85 C	-40 to 85 °C	Tray		GS81284Z36GB							NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												119									144 Mbit	4				375 mA, 430 mA	8 ns				Flow-Through/Pipelined		4 M x 36					22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial																	SRAM
GS881E18CD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR								有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		Tray		GS881E18CD							DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage																					9 Mbit					165 mA, 200 mA	5.5 ns						512 k x 18						SRAM																					SRAM