类别是'category.存储器' (10000)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

类型

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

子类别

技术

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

电源电压

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

基本部件号

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

工作电源电压

电源电压-最大值(Vsup)

电源

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

界面

最大电源电压

最小电源电压

内存大小

端口的数量

电源电流

操作模式

最大电源电流

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

内存格式

内存接口

建筑学

数据总线宽度

组织结构

输出特性

座位高度-最大

内存宽度

写入周期时间 - 字符、页面

地址总线宽度

产品类别

密度

待机电流-最大值

记忆密度

最高频率

筛选水平

并行/串行

I/O类型

内存IC类型

编程电压

待机电压-最小值

刷新周期

顺序突发长度

交错突发长度

访问模式

自我刷新

产品类别

座位高度(最大)

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

W949D6CBHX6E
W949D6CBHX6E
Winbond Electronics Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

60

活跃

WINBOND ELECTRONICS CORP

5.37

BGA

8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

32000000

PLASTIC/EPOXY

BGA60,9X10,32

-25 °C

未说明

5 ns

85 °C

W949D6CBHX6E

166 MHz

33554432 words

1.8 V

TFBGA

RECTANGULAR

Winbond Electronics Corp

EAR99

AUTO/SELF REFRESH

8542.32.00.28

DRAMs

CMOS

BOTTOM

BALL

未说明

1

0.8 mm

compliant

60

R-PBGA-B60

不合格

1.95 V

1.8 V

OTHER

1.7 V

1

SYNCHRONOUS

0.075 mA

32MX16

3-STATE

1.025 mm

16

0.00001 A

536870912 bit

COMMON

DDR DRAM

8192

2,4,8,16

2,4,8,16

四库页面突发

YES

9 mm

8 mm

GS8342TT07BD-300I
GS8342TT07BD-300I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

BGA-165

YES

165

300 MHz

FBGA

DDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

4 MWords

8 Bit

1.9 V

表面贴装

300 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

15

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaDDR-II+

DDR

LBGA, BGA165,11X15,40

GRID ARRAY, LOW PROFILE

4000000

PLASTIC/EPOXY

BGA165,11X15,40

-40 °C

未说明

0.45 ns

85 °C

GS8342TT07BD-300I

300 MHz

1.8 V

LBGA

RECTANGULAR

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.36

BGA

Industrial grade

-40 to 100 °C

Tray

GS8342TT07BD

e0

3A991.B.2.B

SigmaDDR-II+ B2

Tin/Lead (Sn/Pb)

PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE

8542.32.00.41

Memory & Data Storage

CMOS

BOTTOM

BALL

未说明

1

1 mm

compliant

165

R-PBGA-B165

不合格

1.9 V

1.5/1.8,1.8 V

INDUSTRIAL

1.7 V

36 Mbit

1

SYNCHRONOUS

460 mA

Pipelined

4 M x 8

3-STATE

1.4 mm

8

21 Bit

SRAM

36 Mbit

33554432 bit

Industrial

PARALLEL

COMMON

DDR SRAM

1.7 V

SRAM

15 mm

13 mm

GS881E18CGT-150
GS881E18CGT-150
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TQFP-100

150 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SyncBurst

Details

SDR

Tray

GS881E18CGT

DCD Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

9 Mbit

120 mA, 130 mA

7.5 ns

512 k x 18

SRAM

SRAM

GS8322Z36AD-250I
GS8322Z36AD-250I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3 Weeks

BGA-165

YES

165

181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz

FBGA

SDR

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

1 MWords

36 Bit

2.7, 3.6 V

表面贴装

250 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

14

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

NBT SRAM

SDR

LBGA, BGA165,11X15,40

GRID ARRAY, LOW PROFILE

1000000

PLASTIC/EPOXY

BGA165,11X15,40

-40 °C

未说明

5.5 ns

85 °C

GS8322Z36AD-250I

250 MHz

2.5 V

LBGA

RECTANGULAR

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.12

BGA

Industrial grade

-40 to 100 °C

Tray

GS8322Z36AD

e0

3A991.B.2.B

NBT Pipeline/Flow Through

Tin/Lead (Sn/Pb)

ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH

8542.32.00.41

Memory & Data Storage

CMOS

BOTTOM

BALL

未说明

1

1 mm

compliant

165

R-PBGA-B165

不合格

2.7 V

2.5/3.3 V

INDUSTRIAL

2.3 V

36 Mbit

4

SYNCHRONOUS

250 mA, 305 mA

5.5 ns

Flow-Through/Pipelined

1 M x 36

3-STATE

1.4 mm

36

20 Bit

SRAM

36 Mbit

0.04 A

37748736 bit

Industrial

PARALLEL

COMMON

ZBT SRAM

2.3 V

SRAM

15 mm

13 mm

GS8182D37BD-400
GS8182D37BD-400
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

400 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

18

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II+

N

DDR

Tray

GS8182D37BD

SigmaQuad II+

Memory & Data Storage

18 Mbit

670 mA

512 k x 36

SRAM

SRAM

GS8161E36DGD-200
GS8161E36DGD-200
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

200 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

36

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SyncBurst

Details

SDR

Tray

GS8161E36DGD

DCD Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

18 Mbit

210 mA

6.5 ns

512 k x 36

SRAM

SRAM

GS8321Z36AGD-250
GS8321Z36AGD-250
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

0 C

18

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

NBT SRAM

Details

SDR

Commercial grade

FBGA

SDR

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

1 MWords

36 Bit

2.7, 3.6 V

表面贴装

250 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 to 85 °C

Tray

GS8321Z36AGD

NBT

Memory & Data Storage

165

36 Mbit

4

230 mA, 285 mA

5.5 ns

Flow-Through/Pipelined

1 M x 36

SRAM

36 Mbit

Commercial

SRAM

GS816236DB-150
GS816236DB-150
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-119

+ 70 C

3.6 V

0 C

21

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SyncBurst

N

SDR

Commercial grade

133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz

FBGA

SDR

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

512 kWords

36 Bit

2.7, 3.6 V

表面贴装

150 MHz

0 to 85 °C

Tray

GS816236DB

Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

119

18 Mbit

4

180 mA, 190 mA

7.5 ns

Flow-Through/Pipelined

512 k x 36

19 Bit

SRAM

18 Mbit

Commercial

SRAM

GS8672T36BGE-333I
GS8672T36BGE-333I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

333 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

15

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaDDR-II

Details

DDR-II

Tray

GS8672T36BGE

SigmaDDR-II

Memory & Data Storage

72 Mbit

1.28 A

2 M x 36

SRAM

SRAM

GS8162Z18DD-200I
GS8162Z18DD-200I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

3.6 V

- 40 C

36

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

NBT SRAM

SDR

Industrial grade

153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz

FBGA

SDR

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

1 MWords

18 Bit

2.7, 3.6 V

表面贴装

200 MHz

+ 85 C

-40 to 100 °C

Tray

GS8162Z18DD

NBT Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

165

18 Mbit

2

215 mA

6.5 ns

Flow-Through/Pipelined

1 M x 18

20 Bit

SRAM

18 Mbit

Industrial

SRAM

GS8182D09BGD-250
GS8182D09BGD-250
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

250 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

18

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II

Details

DDR

Tray

GS8182D09BGD

SigmaQuad-II

Memory & Data Storage

18 Mbit

420 mA

2 M x 9

SRAM

SRAM

GS8342T09BD-300
GS8342T09BD-300
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

BGA-165

YES

165

300 MHz

FBGA

DDR

1.8000 V

Synchronous

4 MWords

9 Bit

表面贴装

300 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

15

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaDDR-II

N

DDR

LBGA, BGA165,11X15,40

GRID ARRAY, LOW PROFILE

4000000

PLASTIC/EPOXY

BGA

5.36

GSI TECHNOLOGY

活跃

RECTANGULAR

LBGA

1.8 V

300 MHz

GS8342T09BD-300

70 °C

0.45 ns

未说明

BGA165,11X15,40

Commercial grade

0 to 85 °C

Tray

GS8342T09BD

3A991.B.2.B

SigmaDDR-II B2

流水线结构

8542.32.00.41

Memory & Data Storage

CMOS

BOTTOM

BALL

未说明

1

1 mm

compliant

165

R-PBGA-B165

不合格

1.9 V

1.5/1.8,1.8 V

COMMERCIAL

1.7 V

36 Mbit

1

SYNCHRONOUS

450 mA

Pipelined

4 M x 9

3-STATE

1.4 mm

9

21 Bit

SRAM

36 Mbit

0.185 A

37748736 bit

Commercial

PARALLEL

COMMON

DDR SRAM

1.7 V

SRAM

15 mm

13 mm

GS832236AGB-150I
GS832236AGB-150I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

BGA-119

YES

119

133@Flow-Through/150@Pipelined MHz

FBGA

SDR

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

1 MWords

36 Bit

2.7, 3.6 V

表面贴装

150 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

14

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SyncBurst

Details

SDR

BGA, BGA119,7X17,50

网格排列

3

1000000

PLASTIC/EPOXY

BGA119,7X17,50

-40 °C

未说明

7.5 ns

85 °C

GS832236AGB-150I

150 MHz

2.5 V

BGA

RECTANGULAR

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.12

BGA

Industrial grade

-40 to 100 °C

Tray

GS832236AGB

e1

3A991.B.2.B

Pipeline/Flow Through

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH

8542.32.00.41

Memory & Data Storage

CMOS

BOTTOM

BALL

260

1

1.27 mm

compliant

119

R-PBGA-B119

不合格

2.7 V

2.5/3.3 V

INDUSTRIAL

2.3 V

36 Mbit

4

SYNCHRONOUS

210 mA, 220 mA

7.5 ns

Flow-Through/Pipelined

1 M x 36

3-STATE

1.99 mm

36

20 Bit

SRAM

36 Mbit

0.04 A

37748736 bit

Industrial

PARALLEL

COMMON

缓存SRAM

2.3 V

SRAM

22 mm

14 mm

GS864436E-200I
GS864436E-200I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

3.6 V

- 40 C

15

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SyncBurst

SDR

Industrial grade

153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz

FBGA

SDR

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

表面贴装

2.7, 3.6 V

36 Bit

2 MWords

200 MHz

+ 85 C

-40 to 85 °C

Tray

GS864436E

同步突发

Memory & Data Storage

165

72 Mbit

4

295 mA, 380 mA

6.5 ns

Flow-Through/Pipelined

2 M x 36

21 Bit

SRAM

72 Mbit

Industrial

SRAM

GS816118DD-250
GS816118DD-250
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

250 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

36

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SyncBurst

N

SDR

Tray

GS816118DD

Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

18 Mbit

210 mA, 230 mA

5.5 ns

1 M x 18

SRAM

SRAM

GS816132DGD-200
GS816132DGD-200
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

200 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

36

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SyncBurst

Details

SDR

Tray

GS816132DGD

Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

18 Mbit

210 mA

6.5 ns

512 k x 32

SRAM

SRAM

GS8672D37BE-450I
GS8672D37BE-450I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

1.9 V

- 40 C

15

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II+

QDR-II

450 MHz

+ 85 C

Tray

GS8672D37BE

SigmaQuad-II+

Memory & Data Storage

72 Mbit

2.07 A

2 M x 36

SRAM

72

SRAM

GS8182D19BD-300
GS8182D19BD-300
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

300 MHz

+ 70 C

1.9 V

0 C

18

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II+

N

DDR

Tray

GS8182D19BD

SigmaQuad II+

Memory & Data Storage

18 Mbit

490 mA

1 M x 18

SRAM

SRAM

GS8672Q19BGE-400I
GS8672Q19BGE-400I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

+ 85 C

SMD/SMT

QDR-II

15

SigmaQuad-II+

1.9 V

Details

400 MHz

Parallel

1.7 V

- 40 C

Tray

GS8672Q19BGE

SigmaQuad-II+

100 °C

-40 °C

1.8 V

72 Mbit

2

1.38 A

4 M x 18

21 b

72 Mb

72

GS816118DGD-150
GS816118DGD-150
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

150 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

36

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SyncBurst

Details

SDR

Tray

GS816118DGD

Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

18 Mbit

170 mA, 180 mA

7.5 ns

1 M x 18

SRAM

SRAM

AT28C256F-30UM/883
AT28C256F-30UM/883
Atmel 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

GS8321Z36AD-200
GS8321Z36AD-200
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz

FBGA

SDR

2.5, 3.3 V

2.3, 3 V

Synchronous

1 MWords

36 Bit

2.7, 3.6 V

表面贴装

200 MHz

+ 70 C

3.6 V

0 C

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

Commercial grade

0 to 85 °C

165

36 Mbit

4

205 mA, 240 mA

6.5 ns

Flow-Through/Pipelined

1 M x 36

20 Bit

36 Mbit

Commercial

25AA160C-I/ST
25AA160C-I/ST
Microchip Technology 数据表

574 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6 Weeks

Tin

表面贴装

表面贴装

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

8

8-TSSOP

Non-Volatile

-40°C~85°C TA

Tube

2004

活跃

1 (Unlimited)

85°C

-40°C

1.8V~5.5V

10MHz

25AA160C

5V

SPI, Serial

5.5V

1.8V

16Kb 2K x 8

5mA

10MHz

160 ns

EEPROM

SPI

5ms

16 kb

3MHz

ROHS3 Compliant

IS34MW04G084-TLI
IS34MW04G084-TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 数据表

8 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

YES

Non-Volatile

-40°C~85°C TA

Tray

活跃

3 (168 Hours)

48

1.7V~1.95V

DUAL

未说明

1

1.8V

0.5mm

未说明

R-PDSO-G48

1.95V

1.7V

4Gb 512M x 8

SYNCHRONOUS

FLASH

Parallel

512MX8

8

45ns

4294967296 bit

1.8V

1.2mm

18.4mm

12mm

ROHS3 Compliant

IS42S32200L-6TL
IS42S32200L-6TL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

表面贴装

86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)

86

Volatile

Commercial grade

0°C~70°C TA

Tray

e3

活跃

3 (168 Hours)

86

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

AUTO/SELF REFRESH

8542.32.00.02

3V~3.6V

DUAL

1

3.3V

0.5mm

86

3.3V

3.6V

3V

64Mb 2M x 32

1

100mA

100mA

166MHz

5.4ns

DRAM

Parallel

32b

2MX32

3-STATE

32

13b

64 Mb

0.002A

COMMON

4096

1248FP

1248

1.2mm

22.22mm

ROHS3 Compliant

无铅