Winbond Electronics Corporation W949D6CBHX6E
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W949D6CBHX6E
2736-W949D6CBHX6E
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DDR DRAM, 32MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60
1最小包装量--
W949D6CBHX6E详情
Winbond Electronics Corporation W949D6CBHX6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
60
Package Description
8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA60,9X10,32
Operating Temperature-Min
-25 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
W949D6CBHX6E
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Winbond Electronics Corp
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
WINBOND ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.37
Part Package Code
BGA
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
60
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
1.8 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.075 mA
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.025 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8,16
交错突发长度
2,4,8,16
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
宽度
8 mm
长度
9 mm
W949D6CBHX6E拓展信息
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