W949D6CBHX6E
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Winbond Electronics Corporation W949D6CBHX6E

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型号

W949D6CBHX6E

utmel 编号

2736-W949D6CBHX6E

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DDR DRAM, 32MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60

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W949D6CBHX6E Winbond Electronics Corporation DDR DRAM, 32MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60

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W949D6CBHX6E详情

Winbond Electronics Corporation W949D6CBHX6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    60

  • Package Description

    8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    32000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA60,9X10,32

  • Operating Temperature-Min

    -25 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Access Time-Max

    5 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    W949D6CBHX6E

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    166 MHz

  • Number of Words

    33554432 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Winbond Electronics Corp

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    WINBOND ELECTRONICS CORP

  • Risk Rank

    5.37

  • Part Package Code

    BGA

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.28

  • 子类别

    DRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    60

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B60

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.95 V

  • 电源

    1.8 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.075 mA

  • 组织结构

    32MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.025 mm

  • 内存宽度

    16

  • 待机电流-最大值

    0.00001 A

  • 记忆密度

    536870912 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    2,4,8,16

  • 交错突发长度

    2,4,8,16

  • 访问模式

    四库页面突发

  • 自我刷新

    YES

  • 宽度

    8 mm

  • 长度

    9 mm

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