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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																												操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	数据率	建筑学	组织结构	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	记忆密度	筛选水平	并行/串行	内存IC类型	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）
GS8642Z72C-250M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-209	209	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Military grade				153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	72 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	250 MHz	+ 125 C	3.6 V	- 55 C	14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	-55 to 125 °C		GS8642Z72C				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage											72 Mbit	8		500 mA	6.5 ns		Flow-Through/Pipelined	1 M x 72			20 Bit	SRAM	72 Mbit		Military					SRAM
GS81302DT10E-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	Industrial grade				400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	-40 to 100 °C	Tray	GS81302DT10E				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage											144 Mbit	2		1.065 A			Pipelined	16 M x 9			22 Bit	SRAM	144 Mbit		Industrial					SRAM
GS8673ED18BGK-625I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-260	YES	260	260	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.4 V	表面贴装	有	625 MHz	+ 100 C	1.4 V	- 40 C	8	1.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-IIIe	Details	DDR	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	GS8673ED18BGK-625I	1.35 V	HBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.73	Industrial grade	625/400 MHz	BGA	QDR	1.3500 V	1.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8673ED18BGK			3A991.B.2.B	SigmaQuad-IIIe B4			8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B260			72 Mbit		SYNCHRONOUS	2.11 A		1.25 Gb/s	Pipelined	4 M x 18	2.3 mm	18	20 Bit	SRAM	72 Mbit	75497472 bit	Industrial	PARALLEL	DDR SRAM	1.4 V	1.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS81302T07GE-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II	Industrial grade				表面贴装	1.9 V	8 Bit	16 MWords	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	DDR	FBGA	350 MHz	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	-40 to 100 °C	Tray	GS81302T07GE				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage											144 Mbit	1		810 mA			Pipelined	16 M x 8			23 Bit	SRAM	144 Mbit		Industrial					SRAM
GS81302S09GE-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR-II	Industrial grade				375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	-40 to 100 °C	Tray	GS81302S09GE				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage											144 Mbit	2		1.005 A			Pipelined	16 M x 9			23 Bit	SRAM	144 Mbit		Industrial					SRAM
GS81302D11GE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Industrial grade				500 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	-40 to 100 °C	Tray	GS81302D11GE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage											144 Mbit	2		1.27 A			Pipelined	16 M x 9			22 Bit	SRAM	144 Mbit		Industrial					SRAM
GS81302TT07E-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165				450 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 Bit	1.9 V	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	-40 to 100 °C	Tray	GS81302TT07E				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage											144 Mbit			1.01 A	0.45			16 M x 8				SRAM		144						SRAM
GS71108AGU-8	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	48	128000	PLASTIC/EPOXY	未说明	8 ns	70 °C	有	GS71108AGU-8	131072 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA		TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3				e1	有	3A991.B.2.B		锡银铜		8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	COMMERCIAL			ASYNCHRONOUS					128KX8	1.2 mm	8				1048576 bit		PARALLEL	标准SRAM	3.6 V	3 V		8 mm	6 mm
GS88018CGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SDR	Details	SyncBurst	Industrial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	-40 to 85 °C	Tray	GS88018CGT				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage											9 Mbit	2		165 mA, 200 mA	5.5 ns		Flow-Through/Pipelined	512 k x 18			19 Bit	SRAM	9 Mbit		Industrial					SRAM
GS81302T37E-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	DDR-II	SigmaDDR-II+	GSI技术	GSI技术	Industrial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	-40 to 100 °C	Tray	GS81302T37E				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage											144 Mbit	1		905 mA			Pipelined	4 M x 36			21 Bit	SRAM	144 Mbit		Industrial					SRAM
GS81302D20E-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	Commercial grade					400 MHz	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	0 to 85 °C	Tray	GS81302D20E				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage											144 Mbit	2		1.175 A			Pipelined	8 M x 18			21 Bit	SRAM	144 Mbit		Commercial					SRAM
GS881E18CD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR					有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS881E18CD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage											9 Mbit			165 mA, 200 mA	5.5 ns			512 k x 18				SRAM								SRAM
GS881Z18CD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8662T20BD-450M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	4 MWords	18 Bit	表面贴装	有	450 MHz	+ 125 C	1.9 V	- 55 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	-55 °C	未说明	0.45 ns	125 °C	无	GS8662T20BD-450M	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.73	Military grade	450 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous		Tray	GS8662T20BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165		MILITARY	72 Mbit		SYNCHRONOUS				Pipelined	4 M x 18	1.4 mm	18	22 Bit	SRAM	72 Mbit	75497472 bit	Military	PARALLEL	DDR SRAM	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS81302T37E-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	Industrial grade				400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	表面贴装	1.9 V	36 Bit	4 MWords	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	-40 to 100 °C	Tray	GS81302T37E				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage											144 Mbit	1		1.005 A			Pipelined	4 M x 36			21 Bit	SRAM	144 Mbit		Industrial					SRAM
GS81302D09GE-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				333 MHz	-40 to 100 °C		GS81302D09GE																			144 Mbit	2		900 mA			Pipelined	16 M x 9			22 Bit		144 Mbit		Industrial
GS8673ED36BK-675I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-260	YES	260	260	2 MWords	36 Bit	1.4 V	表面贴装	有	675 MHz	+ 100 C	1.4 V	- 40 C	8	1.3 V	SMD/SMT	Parallel	DDR	SigmaQuad-IIIe	GSI技术	GSI技术	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	无	GS8673ED36BK-675I	1.35 V	HBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.81	Industrial grade	675/450 MHz	BGA	QDR	1.3500 V	1.3 V	Synchronous	-40 to 85 °C	Tray	GS8673ED36BK			3A991.B.2.B	SigmaQuad-IIIe B4			8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B260			72 Mbit		SYNCHRONOUS	3.17 A			Pipelined	2 M x 36	2.3 mm	36	19 Bit	SRAM	72 Mbit	75497472 bit	Industrial	PARALLEL	DDR SRAM	1.4 V	1.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS81284Z36GB-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	10	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Industrial grade				125@Flow-Through/167@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	167 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	-40 to 85 °C	Tray	GS81284Z36GB				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage											144 Mbit	4		375 mA, 430 mA	8 ns		Flow-Through/Pipelined	4 M x 36			22 Bit	SRAM	144 Mbit		Industrial					SRAM
GS81302T38E-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165		FBGA	1.8000 V	1.7 V	36 Bit	1.9 V	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	Industrial grade			-40 to 100 °C	Tray	GS81302T38E				SigmaDDR-II+				Memory & Data Storage											144 Mbit			1.31 A	0.45			4 M x 36				SRAM		144	Industrial					SRAM
GS88132CD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	70 °C	无	GS88132CD-250	262144 words	3.3 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.16	BGA	250 MHz	+ 70 C			GS88132CD			3A991.B.2.B			ALSO OPERATES WITH 2.3V TO 2.7V SUPPLY, FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL	9 Mbit		SYNCHRONOUS	155 mA, 195 mA	5.5 ns			256KX32	1.4 mm	32				9		SERIAL	缓存SRAM	3.6 V	3 V		15 mm	13 mm
GS8673ET18BGK-550	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-260	YES	260	260	1.3500 V	1.25 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.4 V	表面贴装	有	550 MHz	+ 85 C	1.4 V	0 C	8	1.25 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-IIIe	Details	DDR-III	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.4 ns	85 °C	有	GS8673ET18BGK-550	1.3 V	HBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.72	Commercial grade	550/375 MHz	BGA	DDR	0 to 70 °C	Tray	GS8673ET18BGK			3A991.B.2.B	SigmaDDR-IIIe B2		IT ALSO OPERATES AT 1.35 V TYPICAL VOLTAGE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B260		OTHER	72 Mbit		SYNCHRONOUS	1.49 A			Pipelined	4 M x 18	2.3 mm	18		SRAM	72 Mbit	75497472 bit	Commercial	PARALLEL	DDR SRAM	1.4 V	1.25 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS81302TT10E-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	10	- 40 C	1.9 V	+ 85 C	450 MHz	有	Industrial grade				450 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	SigmaDDR-II+	DDR-II	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS81302TT10E				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage											144 Mbit	1		1.01 A			Pipelined	16 M x 9			23 Bit	SRAM	144 Mbit		Industrial					SRAM
GS71108AGU-7I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	48	未说明	7 ns	85 °C	有	GS71108AGU-7I	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Industrial grade		FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	128 kWords	8 Bit	3.6 V	表面贴装	TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	-40 to 85 °C			e1	有	3A991.B.2.B		锡银铜		8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	INDUSTRIAL		1	ASYNCHRONOUS					128KX8	1.2 mm	8	17 Bit		1 Mbit	1048576 bit	Industrial	PARALLEL	标准SRAM	3.6 V	3 V		8 mm	6 mm
GS81302D18E-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II	Industrial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS81302D18E				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage											144 Mbit	2		900 mA			Pipelined	8 M x 18			21 Bit	SRAM	144 Mbit		Industrial					SRAM
GS81302TT19E-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR-II	Commercial grade				450 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	表面贴装	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	0 to 85 °C	Tray	GS81302TT19E				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage											144 Mbit	1		1 A			Pipelined	8 M x 18				SRAM	144 Mbit		Commercial					SRAM