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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	产品类别
GS816132DGD-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS816132DGD				同步突发				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	4		195 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial					SRAM
GS8342T19BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T19BD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	1		460 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial					SRAM
GS8161Z36DGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	有	GS8161Z36DGD-250I	524288 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	BGA	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details		Tray	GS8161Z36DGD			3A991.B.2.B	NBT		FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165		2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V	18 Mbit		SYNCHRONOUS	250 mA, 270 mA	5.5 ns		512 k x 36		1.4 mm	36		SRAM			18874368 bit		PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	15 mm	13 mm
GS8342TT07BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8342TT07BGD-333	333 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Commercial grade	333 MHz	FBGA	0 to 85 °C	Tray	GS8342TT07BGD			3A991.B.2.B	SigmaDDR-II+ B2		PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V	36 Mbit	1	SYNCHRONOUS	515 mA		Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8	21 Bit	SRAM	36 Mbit		33554432 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8161E18DGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	YES	165	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS8161E18DGD-200I	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.29	BGA	Industrial grade		153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	-40 to 85 °C					3A991.B.2.B			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V		2	SYNCHRONOUS			Flow-Through/Pipelined	1MX18		1.4 mm	18	20 Bit		18 Mbit		18874368 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM			15 mm	13 mm
GS8182S36BD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel				167 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V			GS8182S36BD																							18 Mbit			380 mA			512 k x 36
GS8342Q07BGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				200 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q07BGD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		565 mA		Pipelined	4 M x 8				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial					SRAM
GS8672D38BE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel				500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V			GS8672D38BE																							72 Mbit			2.25 A			2 M x 36								72
GS8342S18BGD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO-II	Details	DDR	Industrial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342S18BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		675 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial					SRAM
GS8162Z18DGD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	85 °C	有	GS8162Z18DGD-150	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.27	BGA	Commercial grade	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	0 to 85 °C	Tray	GS8162Z18DGD			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	2.7 V		OTHER	2.3 V	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	170 mA, 180 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.4 mm	18	20 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	15 mm	13 mm
GS8342DT10BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342DT10BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		540 mA		Pipelined	4 M x 9				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial					SRAM
GS8342T10BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T10BD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	1		460 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial					SRAM
TMS29F040-10C5DDL	Texas Instruments	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8321Z18AGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	85 °C	有	GS8321Z18AGD-250	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.3	BGA	Commercial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	0 to 85 °C	Tray	GS8321Z18AGD	e1	有	3A991.B.2.B	NBT	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE		Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	2.7 V		OTHER	2.3 V	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	215 mA, 255 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 18		1.4 mm	18	21 Bit	SRAM	36 Mbit		37748736 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	15 mm	13 mm
GS880F18CGT-5I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel																													9 Mbit			170 mA	5 ns		512 k x 18								9
GS881Z32CGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Commercial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	32 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	0 to 70 °C	Tray	GS881Z32CGT				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage								100							9 Mbit	1		155 mA, 195 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 32				18 Bit	SRAM	8 Mbit			Commercial					SRAM
GS8342Q19BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	0 to 85 °C																		165							36 Mbit	2		775 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit		36 Mbit			Commercial
GS8342S36BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaSIO-II	Details	DDR	Commercial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS8342S36BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		850 mA		Pipelined	1 M x 36					SRAM	36 Mbit			Commercial					SRAM
GS8161E32DGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	NBT SRAM	Details	SDR				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8161E32DGT				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			200 mA, 210 mA	7.5 ns		512 k x 32					SRAM									SRAM
GS8672T36BGE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaDDR-II	Details	DDR-II				有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672T36BGE				SigmaDDR-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.26 A			2 M x 36					SRAM			72						SRAM
GS8342Q19BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	250 MHz	FBGA	1.8000 V	Synchronous	18 Bit	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel				0 to 85 °C		GS8342Q19BD																165							36 Mbit			665 mA	0.45		2 M x 18								36
GS8672Q38BE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	BGA	5.92	GSI TECHNOLOGY	Obsolete	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	2097152 words	450 MHz	GS8672Q38BE-450I	无	85 °C	0.45 ns	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II		Tray	GS8672Q38BE			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V	72 Mbit		SYNCHRONOUS	2.07 A			2 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36		SRAM			72		PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS832218AB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	2.7, 3.6 V	表面贴装	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	5.5 ns	70 °C	无	GS832218AB-250	250 MHz	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.11	BGA	Commercial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	0 to 85 °C			e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格	2.7 V	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	2.3 V	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	215 mA, 255 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.99 mm	18	21 Bit		36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V		22 mm	14 mm
GS8672T18BE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaDDR-II	N	DDR-II				有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672T18BE				SigmaDDR-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			950 mA			4 M x 18					SRAM			72						SRAM
GS8182S18BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR				有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8182S18BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			355 mA			1 M x 18					SRAM									SRAM