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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	串行总线类型	耐力	写入周期时间 - 最大值	数据保持时间	写入保护	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	长度	宽度
GS8342R09BD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	DDR-II	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8342R09BD-350I	350 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Industrial grade	350 MHz	FBGA	-40 to 100 °C	Tray	GS8342R09BD	e0		3A991.B.2.B	SigmaDDR-II B4	Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	1	SYNCHRONOUS	575 mA		Pipelined	4 M x 9	3-STATE	1.4 mm	9	20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.22 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM						1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342DT07BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342DT07BGD-333	333 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Commercial grade	333 MHz	FBGA	QDR	0 to 85 °C	Tray	GS8342DT07BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B4	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	OTHER	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	605 mA		Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8	20 Bit	SRAM	36 Mbit		33554432 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM						1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS880Z18CGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Commercial grade				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	0 to 70 °C	Tray	GS880Z18CGT				NBT				Memory & Data Storage												9 Mbit	1		130 mA, 155 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 18				18 Bit	SRAM	9 Mbit			Commercial												SRAM
GS8342Q19BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				200 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS8342Q19BGD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		555 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial												SRAM
GS8161E32DGD-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	0 to 70 °C																						18 Mbit	4		175 mA, 190 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit		18 Mbit			Commercial
GS8342Q19BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	250 MHz	FBGA	1.8000 V	Synchronous	18 Bit	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel				0 to 85 °C		GS8342Q19BD																				36 Mbit			665 mA	0.45		2 M x 18								36
GS816032DGT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	表面贴装	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	有	GS816032DGT-250IV	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.34	QFP	Industrial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	-40 to 100 °C		GS816032DGT			3A991.B.2.B			ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41		CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100			INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	250 mA, 270 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32		1.6 mm	32	20 Bit		18 Mbit		16777216 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM							2 V	1.7 V		20 mm	14 mm
GS8342R36BD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	DDR	Industrial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	-40 to 100 °C	Tray	GS8342R36BD				SigmaDDR-II B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		735 mA		Pipelined	1 M x 36				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial												SRAM
GS880E36CGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	Details	SDR	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS880E36CGT-200	262144 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.61	QFP	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst		Tray	GS880E36CGT	e3	有	3A991.B.2.B	DCD	纯哑光锡	PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	9 Mbit		SYNCHRONOUS	140 mA, 170 mA	6.5 ns		256 k x 36	3-STATE	1.6 mm	36		SRAM		0.025 A	9437184 bit		PARALLEL	COMMON	缓存SRAM						2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	20 mm	14 mm
GS8342DT10BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS8342DT10BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		605 mA		Pipelined	4 M x 9				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial												SRAM
GS8182D09BD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	0 to 70 °C	Tray	GS8182D09BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		515 mA		Pipelined	2 M x 9				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial												SRAM
GS8182S18BGD-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR	Commercial grade				375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8182S18BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		680 mA		Pipelined	1 M x 18				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial												SRAM
GS8342TT10BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS8342TT10BGD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		460 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial												SRAM
GS8160E32DGT-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				150 MHz	TQFP	SDR	表面贴装	2, 2.7 V	32 Bit	512 kWords	Synchronous	1.7, 2.3 V	1.8, 2.5 V	有	150 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8160E32DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage												18 Mbit	4		195 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial												SRAM
GS8160E18DGT-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				200 MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8160E18DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		210 mA, 215 mA	6.5 ns		1 M x 18					SRAM	18 Mbit			Industrial												SRAM
GS8182Q18BGD-133	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.5 ns	70 °C	有	GS8182Q18BGD-133	1048576 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA	有	133 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details		Tray	GS8182Q18BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	375 mA			1 M x 18		1.4 mm	18		SRAM			18874368 bit		PARALLEL		DDR SRAM							1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS88018CGT-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	-40 °C	未说明	5 ns	85 °C	有	GS88018CGT-300I	300 MHz	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.3	QFP	Industrial grade	-40 to 85 °C	Tray	GS88018CGT	e3	有	3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	纯哑光锡	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	9 Mbit	2	SYNCHRONOUS	170 mA, 225 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 18	3-STATE	1.6 mm	18	19 Bit	SRAM	9 Mbit	0.045 A	9437184 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM						2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	20 mm	14 mm
GS8342T20BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Commercial grade				400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342T20BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		600 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial												SRAM
GS8342D19BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342D19BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		665 mA		Pipelined	2 M x 18				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial												SRAM
GS8342T06BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Commercial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342T06BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		565 mA		Pipelined	4 M x 8				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial												SRAM
GS816118DD-333IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade				200@Flow-Through/333@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS816118DD				同步突发				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		240 mA, 300 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial												SRAM
GS8160E18DGT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100				250 MHz	TQFP	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	18 Bit	2, 2.7 V	有	250 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	-40 to 85 °C	Tray	GS8160E18DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage												18 Mbit			225 mA, 245 mA	5.5		1 M x 18					SRAM			18													SRAM
GS8342D36BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Commercial grade				400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342D36BGD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		905 mA		Pipelined	1 M x 36				18 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial												SRAM
25AA160AT-I/SNG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8	8		3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8	小概要	1	2000	PLASTIC/EPOXY	SOP8,.25	-40 °C	40	85 °C	有	25AA160AT-I/SNG	10 MHz	2048 words	2.5 V	SOP	RECTANGULAR	Microchip Technology Inc	不推荐	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	5.26	SOIC					e3	有	EAR99		Matte Tin (Sn)		8542.32.00.51	EEPROMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260	1	1.27 mm	compliant	R-PDSO-G8	不合格	2/5 V	INDUSTRIAL			SYNCHRONOUS	0.006 mA			2KX8		1.75 mm	8				0.000001 A	16384 bit		SERIAL		EEPROM	SPI	1000000 Write/Erase Cycles	5 ms	200	HARDWARE/SOFTWARE		5.5 V	1.8 V		4.9 mm	3.9 mm
GS88118CGT-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	100	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	,	有	GS88118CGT-300I	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.8	Industrial grade				TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	-40 to 85 °C																	compliant						1				Flow-Through/Pipelined							9 Mbit			Industrial