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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	界面	内存大小	端口的数量	电源电流	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	数据率	内存接口	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	串行总线类型	耐力	写入周期时间 - 最大值	数据保持时间	写入保护
GS881Z32CD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR								有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		Tray		GS881Z32CD							NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage																					9 Mbit					160 mA, 190 mA	6.5 ns					256 k x 32					SRAM																		SRAM
GS81302T07GE-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	DDR-II	Details	SigmaDDR-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	Industrial grade								350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	-40 to 100 °C	Tray		GS81302T07GE							SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												165									144 Mbit	1				810 mA					Pipelined	16 M x 8				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial														SRAM
GS74116AX-10E	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-48	3.6 V	135	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	N											GS74116AX							Asynchronous				Memory & Data Storage																					4 Mbit					105 mA	10 ns					256 k x 16					SRAM																		SRAM
GS882Z36CGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR								有	250 MHz	+ 85 C		Tray		GS882Z36CGD							NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage																					9 Mbit					175 mA, 215 mA	5.5 ns					256 k x 36					SRAM																		SRAM
GS81302DT38E-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	表面贴装	QDR-II	SigmaQuad-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	10	- 40 C	1.9 V	+ 85 C	500 MHz	有	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS81302DT38E-500I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.06	BGA	Industrial grade					500 MHz	FBGA	-40 to 100 °C	Tray		GS81302DT38E		无				3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant			165	R-PBGA-B165	不合格		1.9 V		INDUSTRIAL	1.7 V		144 Mbit	2		SYNCHRONOUS		1.67 A					Pipelined	4 M x 36		1.5 mm	36	20 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit	Industrial	PARALLEL			QDR SRAM			SRAM		17 mm	15 mm
GS81302DT10E-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	Industrial grade								400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	-40 to 100 °C	Tray		GS81302DT10E							SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												165									144 Mbit	2				1.065 A					Pipelined	16 M x 9				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial														SRAM
GS71108AGU-10	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48				TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000	PLASTIC/EPOXY	未说明	10 ns	70 °C	有	GS71108AGU-10	131072 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA							e1	有				3A991.B.2.B		锡银铜		8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1		0.75 mm	compliant			48	R-PBGA-B48	不合格		3.6 V		COMMERCIAL	3 V					ASYNCHRONOUS								128KX8		1.2 mm	8					1048576 bit		PARALLEL				标准SRAM											8 mm	6 mm
GS8642Z72C-250M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-209	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Military grade								153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	72 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	250 MHz	+ 125 C	3.6 V	- 55 C	14	2.3 V	-55 to 125 °C			GS8642Z72C							NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												209									72 Mbit	8				500 mA	6.5 ns				Flow-Through/Pipelined	1 M x 72				20 Bit	SRAM	72 Mbit			Military														SRAM
GS8673ED18BGK-625I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-260	YES	260	1.3500 V	1.3 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.4 V	表面贴装	有	625 MHz	+ 100 C	1.4 V	- 40 C	8	1.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-IIIe	Details	DDR	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	GS8673ED18BGK-625I	1.35 V	HBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.73	Industrial grade					625/400 MHz	BGA	QDR	-40 to 85 °C	Tray		GS8673ED18BGK						3A991.B.2.B	SigmaQuad-IIIe B4			8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant			260	R-PBGA-B260			1.4 V			1.3 V		72 Mbit			SYNCHRONOUS		2.11 A			1.25 Gb/s		Pipelined	4 M x 18		2.3 mm	18	20 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL			DDR SRAM			SRAM		22 mm	14 mm
GS81302S09GE-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR-II	Industrial grade								375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 85 C	-40 to 100 °C	Tray		GS81302S09GE							SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												165									144 Mbit	2				1.005 A					Pipelined	16 M x 9				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial														SRAM
CY7C15632KV18-450BZXI	Cypress Semiconductor Corp	数据表	17 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	表面贴装	表面贴装	165-LBGA	165				Volatile	-40°C~85°C TA	Tray	2003		e1		活跃	3 (168 Hours)	165			Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构				1.7V~1.9V	BOTTOM		260	1	1.8V	1mm		30	CY7C15632	165			1.8V	1.9V			1.7V		72Mb 4M x 18	2	780mA		450MHz		450 ps	SRAM		Parallel		4MX18	3-STATE		18	20b		72 Mb	0.34A				SEPARATE	Synchronous	18b								1.7V			1.4mm	15mm		无	ROHS3 Compliant	无铅
CY7C1668KV18-450BZXC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	2259 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	表面贴装	表面贴装	165-LBGA	165				Volatile	0°C~70°C TA	Tray	2014		e1		活跃	3 (168 Hours)	165			Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构				1.7V~1.9V	BOTTOM		260	1	1.8V			40	CY7C1668	165			1.8V						144Mb 8M x 18	1	790mA		450MHz		450 ps	SRAM		Parallel					18	22b		144 Mb						Synchronous	18b														无	ROHS3 Compliant
S25FL128SAGMFIG10	Cypress Semiconductor Corp	数据表	87 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	Tin	表面贴装	表面贴装	16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)	16	Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tray	2013	FL-S	e3		活跃	3 (168 Hours)	16				ALSO CONFIGURABLE AS 128M X 1	8542.32.00.51			2.7V~3.6V	DUAL			1	3V	1.27mm						不合格	3V	3.6V			2.7V	SPI, Serial	128Mb 16M x 8		90mA		133MHz		8 ns	FLASH		SPI - Quad I/O					8	1b		128 Mb	0.0001A					Synchronous	1b		3V	SPI	100000 Write/Erase Cycles	500ms	20	HARDWARE/SOFTWARE		2		2.65mm	10.3mm			ROHS3 Compliant
GS81302D18E-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II	Industrial grade								333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray		GS81302D18E							SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												165									144 Mbit	2				900 mA					Pipelined	8 M x 18				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial														SRAM
GS81284Z36GB-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	3.6 V	- 40 C	10	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Industrial grade								125@Flow-Through/167@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	167 MHz	+ 85 C	-40 to 85 °C	Tray		GS81284Z36GB							NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												119									144 Mbit	4				375 mA, 430 mA	8 ns				Flow-Through/Pipelined	4 M x 36				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial														SRAM
GS81302TT10E-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	Industrial grade								450 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	-40 to 100 °C	Tray		GS81302TT10E							SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												165									144 Mbit	1				1.01 A					Pipelined	16 M x 9				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial														SRAM
GS71108AGU-7I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7 ns	85 °C	有	GS71108AGU-7I	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Industrial grade						FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	128 kWords	8 Bit	3.6 V	表面贴装	TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000	-40 to 85 °C				e1	有				3A991.B.2.B		锡银铜		8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1		0.75 mm	compliant			48	R-PBGA-B48	不合格		3.6 V		INDUSTRIAL	3 V			1		ASYNCHRONOUS								128KX8		1.2 mm	8	17 Bit		1 Mbit		1048576 bit	Industrial	PARALLEL				标准SRAM										8 mm	6 mm
GS81302T38E-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165								FBGA	1.8000 V	1.7 V	36 Bit	1.9 V	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	Industrial grade	-40 to 100 °C	Tray		GS81302T38E							SigmaDDR-II+				Memory & Data Storage												165									144 Mbit					1.31 A	0.45					4 M x 36					SRAM			144	Industrial														SRAM
GS81302D20E-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	Commercial grade								400 MHz	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	0 to 85 °C	Tray		GS81302D20E							SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage																					144 Mbit	2				1.175 A					Pipelined	8 M x 18				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial														SRAM
GS88132CD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel					LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	70 °C	无	GS88132CD-250	262144 words	3.3 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.16	BGA				GS88132CD						3A991.B.2.B			ALSO OPERATES WITH 2.3V TO 2.7V SUPPLY, FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant			165	R-PBGA-B165	不合格		3.6 V		COMMERCIAL	3 V		9 Mbit			SYNCHRONOUS		155 mA, 195 mA	5.5 ns					256KX32		1.4 mm	32					9		SERIAL				缓存SRAM											15 mm	13 mm
GS881E18CD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR								有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		Tray		GS881E18CD							DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage																					9 Mbit					165 mA, 200 mA	5.5 ns					512 k x 18					SRAM																		SRAM
GS81302D09GE-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165						333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade			-40 to 100 °C			GS81302D09GE																							165									144 Mbit	2				900 mA					Pipelined	16 M x 9				22 Bit		144 Mbit			Industrial
GS81302T37E-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	Industrial grade								400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	-40 to 100 °C	Tray		GS81302T37E							SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												165									144 Mbit	1				1.005 A					Pipelined	4 M x 36				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial														SRAM
GS8182T37BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	YES	165	5.2	BGA						LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8182T37BGD-300	300 MHz	524288 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY					e1	有				3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1		1 mm	compliant			165	R-PBGA-B165	不合格		1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V					SYNCHRONOUS		0.455 mA						512KX36	3-STATE	1.4 mm	36				0.155 A	18874368 bit		PARALLEL	COMMON			DDR SRAM							1.7 V				15 mm	13 mm
GS881Z18CD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1