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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	串行总线类型	写入周期时间 - 最大值	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	长度	宽度
GS8342DT10BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS8342DT10BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		605 mA		Pipelined	4 M x 9				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial									SRAM
GS8182D09BD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	0 to 70 °C	Tray	GS8182D09BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		515 mA		Pipelined	2 M x 9				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial									SRAM
GS8182S18BGD-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR	Commercial grade				375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8182S18BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		680 mA		Pipelined	1 M x 18				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial									SRAM
GS8342TT10BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS8342TT10BGD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		460 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial									SRAM
GS8182D37BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8182D37BD-300I	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA	Industrial grade	300 MHz	FBGA	-40 to 85 °C	Tray	GS8182D37BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaQuad II+	Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	545 mA		Pipelined	512 k x 36	3-STATE	1.4 mm	36	17 Bit	SRAM	18 Mbit	0.165 A	18874368 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	DDR SRAM			1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	10 mm
GS8182D37BD-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	GS8182D37BD-375I	无	85 °C	0.45 ns	未说明	-40 °C	BGA165,11X15,40	PLASTIC/EPOXY	512000	GRID ARRAY, LOW PROFILE	LBGA, BGA165,11X15,40	375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	BGA	5.21	GSI TECHNOLOGY	活跃	GSI技术	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	524288 words	375 MHz				e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	645 mA			512 k x 36	3-STATE	1.4 mm	36				0.18 A	18874368 bit		PARALLEL	SEPARATE	DDR SRAM			1.7 V	1.9 V	1.7 V		15 mm	10 mm
GS88136CGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	SDR	Details	SyncBurst	GSI技术	GSI技术	Parallel	Commercial grade				200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	0 to 70 °C	Tray	GS88136CGD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												9 Mbit	1		165 mA, 225 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 36				17 Bit	SRAM	9 Mbit			Commercial									SRAM
GS8342Q10BGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q10BGD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		675 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial									SRAM
24LCS21A-I/PG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	8	8	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	85 °C	有	24LCS21A-I/PG	0.1 MHz	128 words	3 V	DIP	RECTANGULAR	Microchip Technology Inc	不推荐	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	5.27	DIP			0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8	IN-LINE	128				e3	有	EAR99		Matte Tin (Sn)		8542.32.00.51		CMOS	DUAL	THROUGH-HOLE	未说明	1	2.54 mm	compliant	R-PDIP-T8	不合格		INDUSTRIAL			SYNCHRONOUS				128X8		5.334 mm	8					1024 bit		SERIAL		EEPROM	I2C	10 ms		5.5 V	2.5 V		9.271 mm	7.62 mm
GS816118DD-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	150 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	-40 to 100 °C																						18 Mbit	2		180 mA, 200 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18				20 Bit		18 Mbit			Industrial
GS8342T18BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165				400 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	18 Bit	1.9 V	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	Details	DDR	0 to 85 °C	Tray	GS8342T18BGD				SigmaDDR-II B2				Memory & Data Storage												36 Mbit			600 mA	0.45		2 M x 18					SRAM			36										SRAM
GS8342R08BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	Details	DDR	Commercial grade				表面贴装	1.9 V	8 Bit	4 MWords	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	DDR	FBGA	300 MHz	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342R08BGD				SigmaDDR-II B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		450 mA		Pipelined	4 M x 8				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial									SRAM
GS8342Q36BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	DDR	Details	SigmaQuad-II	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	15	- 40 C	1.9 V	+ 85 C	300 MHz	有	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342Q36BGD-300I	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.37	BGA	Industrial grade	300 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q36BGD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	980 mA		Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.235 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM			1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS832236AGB-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119	36 Bit	1 MWords	Synchronous	2.3, 3 V	2.5, 3.3 V	SDR	FBGA	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	SDR	Details	SyncBurst	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	2.3 V	14	0 C	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS832236AGB-200	200 MHz	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.12	BGA	Commercial grade	表面贴装	2.7, 3.6 V	0 to 85 °C	Tray	GS832236AGB	e1	有	3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	36 Mbit	4	SYNCHRONOUS	205 mA, 240 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.99 mm	36		SRAM	36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM			2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS8162Z18DGB-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	119	Synchronous	1.7, 2.3 V	1.8, 2.5 V	SDR	FBGA	153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	有	200 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	21	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	BGA,	网格排列	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS8162Z18DGB-200V	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.27	BGA	Commercial grade	表面贴装	2, 2.7 V	18 Bit	1 MWords	0 to 85 °C	Tray	GS8162Z18DGB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	190 mA, 195 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.99 mm	18	20 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM				2 V	1.7 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS8342Q19BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				200 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS8342Q19BGD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		555 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial									SRAM
GS8161E32DGD-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	0 to 70 °C																						18 Mbit	4		175 mA, 190 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit		18 Mbit			Commercial
GS8182D37BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	SigmaQuad-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8182D37BGD-333	333 MHz	524288 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8182D37BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad II+	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	575 mA			512 k x 36	3-STATE	1.4 mm	36		SRAM		0.16 A	18874368 bit		PARALLEL	SEPARATE	DDR SRAM			1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	10 mm
GS71116AGU-12I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	BGA-48	YES	48	48	64000	PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	-40 °C	未说明	12 ns	85 °C	有	GS71116AGU-12I	65536 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.17	BGA	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	240	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	Details	SDR	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3			GS71116AGU	e1	有	3A991.B.2.B	Asynchronous	锡银铜		8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	INDUSTRIAL	1 Mbit		ASYNCHRONOUS	90 mA	12 ns		64 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16		SRAM		0.005 A	1048576 bit		PARALLEL	COMMON	标准SRAM			2 V	3.6 V	3 V	SRAM	8 mm	6 mm
GS8322Z36AB-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	Commercial grade				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	14	2.3 V	0 to 85 °C	Tray	GS8322Z36AB				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												36 Mbit	4		205 mA, 240 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial									SRAM
GS816236DGD-333V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				200@Flow-Through/333@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS816236DGD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	4		240 mA, 310 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial									SRAM
GS8342QT07BGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	200 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342QT07BGD-200I	200 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Industrial grade	-40 to 100 °C	Tray	GS8342QT07BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	565 mA		Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8	21 Bit	SRAM	36 Mbit		33554432 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM			1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342R09BD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	DDR-II	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8342R09BD-350I	350 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Industrial grade	350 MHz	FBGA	-40 to 100 °C	Tray	GS8342R09BD	e0		3A991.B.2.B	SigmaDDR-II B4	Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	1	SYNCHRONOUS	575 mA		Pipelined	4 M x 9	3-STATE	1.4 mm	9	20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.22 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM			1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342DT07BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342DT07BGD-333	333 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Commercial grade	333 MHz	FBGA	QDR	0 to 85 °C	Tray	GS8342DT07BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B4	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	OTHER	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	605 mA		Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8	20 Bit	SRAM	36 Mbit		33554432 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM			1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS880Z18CGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Commercial grade				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	0 to 70 °C	Tray	GS880Z18CGT				NBT				Memory & Data Storage												9 Mbit	1		130 mA, 155 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 18				18 Bit	SRAM	9 Mbit			Commercial									SRAM