类别是'category.存储卡' (4503)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

表面安装

终端数量

Maximum Read Speed (MBps)

Maximum Write Speed (MBps)

包装

无铅代码

零件状态

ECCN 代码

附加功能

HTS代码

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

电源电压-最大值(Vsup)

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

电压

端口的数量

速度

操作模式

组织结构

座位高度-最大

内存宽度

记忆密度

锁相环

内存IC类型

电容量

刷新周期

访问模式

自我刷新

模块类型

长度

宽度

RoHS状态

SDSDM-512-K
SDSDM-512-K
Western Digital 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EAR99

迷你SD卡

512M

SD/SPI

2.7

3.3

3.6

-25

85

MiniSD

MiniSD

Socket

1.4

21.5

20

11

Obsolete

11

符合RoHS标准

TS512MLK64W6H
TS512MLK64W6H
Transcend Information 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

UDIMM

DIM

11

512Mx8

1600

64

4G

8

4Gbyte

DRAM模块

EAR99

No Lead

240

Socket

活跃

240

512Mx64

240UDIMM

符合RoHS标准

W332M64V-100SBI
W332M64V-100SBI
Microsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

208

460

-40

85

Industrial

4

3|2

BGA

表面贴装

2.27(Max)

22.15(Max)

13.15(Max)

208

BGA,

网格排列

32000000

PLASTIC/EPOXY

-40 °C

30

7 ns

85 °C

W332M64V-100SBI

33554432 words

3.3 V

BGA

RECTANGULAR

Microsemi Corporation

Transferred

MICROSEMI CORP

5.37

BGA

4A994.a

DRAM模块

256Mbyte

4

512M

64

7

100

PBGA

3

3.3

3.6

Unconfirmed

EAR99

AUTO/SELF REFRESH; LG-MAX; WD-MAX; SEATED HT-CALCULATED

8542.32.00.36

CMOS

BOTTOM

BALL

225

1

1 mm

unknown

208

R-PBGA-B208

不合格

3.6 V

INDUSTRIAL

3 V

1

SYNCHRONOUS

32Mx64

2.77 mm

64

2147483648 bit

同步剧

8K

多库页面突发

22.15 mm

13.15 mm

M393A8K40B21-CTC0Q
M393A8K40B21-CTC0Q
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.2

1.26

3848

Quad

17

RDIMM

Socket

31.25

133.35

4.1(Max)

288

EAR99

DRAM模块

64Gbyte

36

8G

72

2400

78FBGA

1.14

活跃

288

8Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

96SD-512M400NN-TR | DDR Memory Module
96SD-512M400NN-TR | DDR Memory Module
Advantech 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8

512M

400

64Mx8

1.5

DIM

SODIMM

Socket

31.75

200

No Lead

EAR99

DRAM模块

512Mbyte

Obsolete

200

200SODIMM

供应商未确认

M393A2K40CB1-CRC4Y
M393A2K40CB1-CRC4Y
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

16Gbyte

18

8G

72

1200

2Gx4

78FBGA

1.14

1.2

1.26

1613

Double

Single

16

17

RDIMM

Socket

31.25

133.35

1.4 + 2.8(Max)

288

活跃

288

2Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

M393A1G40EB2-CTD
M393A1G40EB2-CTD
Samsung Electronics 数据表

12 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

72

1333

1Gx4

1.14

1.2

1.26

Double

Single

16

19

RDIMM

Socket

31.25

133.35

1.4 + 2.8(Max)

288

EAR99

DRAM模块

8Gbyte

18

4G

活跃

288

1Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

KVR16LR11S8L/4
KVR16LR11S8L/4
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

No Lead

EAR99

DRAM模块

4Gbyte

9

4G

72

800

512Mx8

FBGA

1.28/1.425

1.35/1.5

1.45/1.575

0

85

Double

Single

11

PC3L-12800

DIM

RDIMM

Socket

18.75

133.35

240

Obsolete

240

512Mx72

240RDIMM

供应商未确认

M378A1G43DB0-CPB000
M378A1G43DB0-CPB000
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

16

4G

64

2133

512Mx8

1.14

1.2

1.26

920

Double

Dual

15

DIM

UDIMM

Socket

31.25

133.35

3.9(Max)

288

No Lead

EAR99

Obsolete

288

1Gx64

288UDIMM

符合RoHS标准

MT4HTF6464HY-53EE1
MT4HTF6464HY-53EE1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SODIMM

Socket

30(Max)

67.75(Max)

2.45(Max)

200

No Lead

EAR99

DRAM模块

512Mbyte

4

1G

64

533

64Mx16

1.7

1.8

1.9

720

0

70

Commercial

Single

Single

8

4

PC2-4200

DIM

Tray

Obsolete

200

64Mx64

8K

200SODIMM

是,有豁免

KVR1333D3E9S/1GI
KVR1333D3E9S/1GI
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

No Lead

EAR99

DRAM模块

1Gbyte

9

1G

72

1333

128Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

0

85

Single

8

9

PC3-10600

DIM

DIMM

Socket

30

133.35

240

Obsolete

240

128Mx72

240DIMM

供应商未确认

M386A8K40DM2-CWEB
M386A8K40DM2-CWEB
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4A994.a

8473.30.11.40

DRAM模块

64Gbyte

36

16G

72

2133

4Gx4

FBGA

1.2

0

85

Commercial

16

15

LTB

8Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

HX321LS11IB2K2/8
HX321LS11IB2K2/8
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8Gbyte

8

4G

64

2133

512Mx8

FBGA

1.35/1.5

0

85

Single

11

DIMM

SODIMM

Socket

30

67.6

204

No Lead

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

活跃

204

512Mx64x2

204SODIMM

KSM26RD8/16HDI
KSM26RD8/16HDI
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Socket

RDIMM

19

Dual

Double

85

0

1589

1.2

FBGA

1Gx8

2666

72

8G

18

16Gbyte

DRAM模块

8473.30.11.40

4A994.a

288

133.35

31.25

活跃

288

2Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

W78M32VP-110BM
W78M32VP-110BM
Microsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

32

110

8Mx16

PBGA

3

3.3

3.6

110

-55

125

Military

BGA

表面贴装

2.15(Max)

22.1(Max)

13.1(Max)

159

4A994.a

闪存模块

256Mbit

2

128M

Obsolete

159

8Mx32

供应商未确认

SDSDJ-1024-J
SDSDJ-1024-J
Western Digital 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EAR99

SD卡

1G

SD/SPI

2.7

3.3

3.6

-25

85

SD

SD

Socket

2.1

32

24

9

Obsolete

9

符合RoHS标准

KVR26S19D8/16
KVR26S19D8/16
Kingston Technology 数据表

37 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

30

69.6

3.7(Max)

260

260

,

KVR26S19D8/16

Kingston Technology Company

接触制造商

KINGSTON TECHNOLOGY COMPANY INC

5.69

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

16Gbyte

16

8G

64

2666

1Gx8

FBGA

1.2

0

85

Double

Dual

19

PC4-2666

SODIMM

Socket

Obsolete

unknown

260

1.2V

2666MHz

2Gx64

DDR内存模块

16 GB

260SODIMM

符合RoHS标准

KSM24RS4L/16MEI
KSM24RS4L/16MEI
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2400

2Gx4

FBGA

1.2

2160

0

85

Single

17

VLP RDIMM

Socket

18.75

133.35

288

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

16Gbyte

18

8G

72

Obsolete

288

2Gx72

288DIMM

符合RoHS标准

KVR16R11D8/4
KVR16R11D8/4
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

133.35

240

No Lead

EAR99

DRAM模块

4Gbyte

18

2G

72

1600

256Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

0

85

Double

Dual

8

11

PC3-12800

DIM

RDIMM

Socket

30

Obsolete

240

512Mx72

240RDIMM

供应商未确认

M393A2G40DB1-CRC10
M393A2G40DB1-CRC10
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1Gx4

78FBGA

1.14

1.2

1.26

2750

Dual

17

RDIMM

Socket

31.25

133.35

4.3(Max)

288

EAR99

DRAM模块

16Gbyte

36

4G

72

2400

Obsolete

288

2Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

SDSDQAB-004G-859 19NM
SDSDQAB-004G-859 19NM
Western Digital 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20

5

-25

3.6

3.3

2.7

SD

4G

MicroSDHC 卡

EAR99

8

11

15

1

Socket

85

Obsolete

8

符合RoHS标准

M391B1G73BH0-YH9
M391B1G73BH0-YH9
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

30

133.35

4(Max)

240

No Lead

4A994.a

DRAM模块

8Gbyte

18

4G

72

0.255

1333

512Mx8

1.283/1.425

1.35/1.5

1.45/1.575

990

0

95

Double

Dual

8

9

DIM

UDIMM

Socket

Obsolete

240

1Gx72

240UDIMM

符合RoHS标准

M391B1G73EB0-YK000
M391B1G73EB0-YK000
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4G

64

1600

512Mx8

78FBGA

1.35

0

85

Commercial

Dual

11

UDIMM

Socket

30

133.35

4(Max)

240

4A994.a

8473.30.51.00

DRAM模块

8Gbyte

18

Obsolete

240

1Gx64

240UDIMM

符合RoHS标准

MT9HTF3272AY-53EB3
MT9HTF3272AY-53EB3
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

No Lead

4A994.a

DRAM模块

256Mbyte

9

256M

72

0.05

533

32Mx8

1.7

1.8

1.9

1440

0

85

Commercial

Single

4

DIM

UDIMM

Socket

30.5(Max)

133.5(Max)

2.7(Max)

240

Tray

Obsolete

240

32Mx72

240UDIMM

是,有豁免

M474B5173QH0-YK000
M474B5173QH0-YK000
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Single

11

4A994.a

8473.30.51.00

DRAM模块

4Gbyte

9

4G

72

1600

512Mx8

78FBGA

1.283/1.425

1.35/1.5

1.45/1.575

0

95

Obsolete

512Mx72

204USODIMM