类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 制造商包装标识符 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 最大结点温度(Tj) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 栅极-发射极Thr电压-最大值 | 产品 | 高度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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APTGT300A120G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 7 | SP6 | 1.7 V | 420 A | 600 nA | 微芯片技术 | APTGT300 | 活跃 | 1.2 kV | Details | 1.2 kV | 1.38 kW | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 420 A | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 1.38 kW | Dual | Dual | 1380 W | Standard | 1.2 kV | 420 A | 500 µA | 1200 V | 21 nF | 2.1V @ 15V, 300A | 420 | 沟渠现场停车 | 无 | 21 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL90A120T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | SP1-12 | SP1 | 1.85 V | 110 A | 600 nA | 微芯片技术 | Bulk | 110 A | APTGL90 | 活跃 | 2.821917 oz | 1 | 底座安装 | 20 V | + 100 C | - 40 C | 385 W | 1.2 kV | Details | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Dual | 385 W | Standard | 250 µA | 1200 V | 2.25V @ 15V, 75A | 110 | 沟渠现场停车 | 有 | 4.4 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF500R17KE4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2172 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 40 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 500A | 2 | -40°C~150°C | 2002 | C | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | R-XUFM-X7 | 半桥逆变器 | ISOLATED | Standard | 1mA | 1700V | 310 ns | 2.3V @ 15V, 500A | 890 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 45nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150DU120TG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 4 | SP4 | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 微芯片技术 | APTGT150 | 活跃 | 1.2 kV | Details | 1.2 kV | 690 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 220 A | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 690 W | Dual | Dual | 690 W | Standard | 2.1 V | 220 A | 250 µA | 1200 V | 10.7 nF | 2.1V @ 15V, 150A | 220 | 沟渠现场停车 | 有 | 10.7 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT75TDU60PG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6-P | SP6-P | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 微芯片技术 | Bulk | 100 A | APTGT75 | 活跃 | Details | 600 V | 250 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 三双共源 | 250 W | Standard | 250 µA | 600 V | 1.9V @ 15V, 75A | 100 | 沟渠现场停车 | 无 | 4.62 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150H120G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 12 | SP6 | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 微芯片技术 | APTGT150 | 活跃 | 1.2 kV | Details | 1.2 kV | 690 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 220 A | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 690 W | 全桥 | 690 W | Standard | 1.2 kV | 220 A | 350 µA | 1200 V | 10.7 nF | 2.1V @ 15V, 150A | 220 | 沟渠现场停车 | 无 | 10.7 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF600R12IP4DBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2329 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 10 | SILICON | 1 | -40°C~150°C | 2002 | PrimePack™2 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 8 | R-XUFM-X8 | 不合格 | Single | ISOLATED | 3350W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 600A | 5mA | 1200V | 370 ns | 2.05V @ 15V, 600A | 1350 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 37nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP100R06KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2564 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 24 | SILICON | 100A | 7 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 24 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 24 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 335W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 600V | 170 ns | 1.9V @ 15V, 100A | 820 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 6.2nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50TL601G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1-12 | NO | 12 | SP1 | 10 | SILICON | 600 V | 176 W | 1.5 V | 80 A | - 40 C | + 100 C | 600 nA | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | 微芯片技术 | Bulk | 80 A | APTGT50 | 活跃 | 600 V | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10 | FLANGE MOUNT | 2.3 | MICROSEMI CORP | 活跃 | 4 | RECTANGULAR | APTGT50TL601G | 有 | 175 °C | 310 ns | 170 ns | UNSPECIFIED | Details | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | EAR99 | 175 °C | -40 °C | 176 W | UPPER | UNSPECIFIED | compliant | 12 | R-XUFM-X10 | 不合格 | 3-Phase Inverter | ISOLATED | 176 W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600 V | 80 A | 250 µA | 600 V | 3.15 nF | 176 W | 1.9V @ 15V, 50A | 80 A | 80 | 沟渠现场停车 | 600 V | 无 | 20 V | 3.15 nF @ 25 V | 1.9 V | IGBT硅模块 | 无 | ||||||||||||||||||||||||||
APTGL475A120D3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D3-11 | NO | 7 | D3 | 7 | SILICON | Details | 1.2 kV | 2.08 kW | 1.8 V | 610 A | - 40 C | + 125 C | 400 nA | 20 V | 底座安装 | 1 | 1.2 kV | 微芯片技术 | 400 ns | Bulk | 610 A | APTGL475 | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 270 ns | 580 ns | 未说明 | 175 °C | 有 | APTGL475A120D3G | RECTANGULAR | 2 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.71 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | EAR99 | 175 °C | -40 °C | 2.08 kW | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 11 | R-XUFM-X7 | 不合格 | Dual | Dual | 2.08 | ISOLATED | 200 ns | 2080 W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 1.2 kV | 610 A | 5 mA | 1200 V | 24.6 nF | 2080 W | 2.2V @ 15V, 400A | 610 A | 610 | 沟渠现场停车 | 1200 V | 无 | 20 V | 24.6 nF @ 25 V | 2.2 V | IGBT硅模块 | 无 | 无铅 | ||||||||||||||||||||
APTGT300TL65G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | SP6 | 1.5 V | 400 A | 800 nA | 3.880136 oz | 微芯片技术 | Bulk | APTGT300 | 活跃 | Details | 650 V | 935 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Tube | - | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL700SK120D3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | D3-11 | D3 | 1.8 V | 840 A | 800 nA | 微芯片技术 | APTGL700 | 活跃 | Details | 1.2 kV | 3 kW | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 840 A | -40°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | Single | 3 | 3000 W | Standard | 5 mA | 1200 V | 2.2V @ 15V, 600A | 840 | 沟渠现场停车 | 无 | 37.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100H120G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 12 | SP6 | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 微芯片技术 | APTGT100 | 活跃 | 1.2 kV | 3.880136 oz | 1 | 底座安装 | 20 V | + 100 C | - 40 C | 480 W | 1.2 kV | Details | Bulk | 140 A | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 480 W | 全桥 | 480 W | Standard | 1.2 kV | 140 A | 250 µA | 1200 V | 7.2 nF | 2.1V @ 15V, 100A | 140 | 沟渠现场停车 | 无 | 7.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT400U120D4G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D4-5 | 4 | D4 | 1.7 V | 650 A | 600 nA | 微芯片技术 | APTGT400 | 活跃 | 1.2 kV | Details | 1.2 kV | 1.785 kW | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 12.345887 oz | Bulk | 600 A | -40°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | - | 150 °C | -40 °C | 2.25 kW | Single | Single | 1.785 | 2250 W | Standard | 1.2 kV | 600 A | 8 mA | 1200 V | 28 nF | 2.1V @ 15V, 400A | 650 | 沟渠现场停车 | 无 | 28 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ75H120TG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | NO | SP4 | 15 | SILICON | 1200 V | 385 W | - 40 C | 2.05 V | 130 A | + 125 C | 20 V | 150 nA | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 微芯片技术 | 130 A | APTGLQ75 | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 79 ns | -40 °C | 414 ns | 150 °C | 有 | APTGLQ75H120TG | RECTANGULAR | 4 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.67 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | UPPER | UNSPECIFIED | compliant | R-XUFM-X15 | Quad | ISOLATED | 385 W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 50 µA | 1200 V | 385 W | 2.4V @ 15V, 75A | 130 A | 沟渠现场停车 | 1200 V | 有 | 20 V | 4.4 nF @ 25 V | 2.4 V | 6.3 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150SK170G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 5 | SP6 | 2 V | 250 A | 600 nA | 微芯片技术 | APTGT150 | 活跃 | 1.7 kV | Details | 1.7 kV | 890 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 250 A | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 890 W | Single | Single | 890 W | Standard | 1.7 kV | 250 A | 350 µA | 1700 V | 13.5 nF | 2.4V @ 15V, 150A | 250 | 沟渠现场停车 | 无 | 13.5 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150A60T3AG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3-32 | SP3 | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 微芯片技术 | APTGT150 | 活跃 | Details | 600 V | 600 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 225 A | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Dual | 600 W | Standard | 250 µA | 600 V | 1.9V @ 15V, 150A | 225 | 沟渠现场停车 | 有 | 9.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50TDU170PG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6-P | 21 | SP6-P | 2 V | 70 A | 400 nA | 微芯片技术 | APTGT50 | 活跃 | 1.7 kV | Details | 1.7 kV | 310 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 70 A | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 310 W | 三双共源 | 310 W | Standard | 1.7 kV | 70 A | 250 µA | 1700 V | 4.4 nF | 2.4V @ 15V, 50A | 70 | 沟渠现场停车 | 无 | 4.4 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50H60T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1-12 | 1 | SP1 | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 微芯片技术 | APTGT50 | 活跃 | 600 V | Details | 600 V | 176 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | Bulk | 80 A | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 176 W | 全桥 | 176 W | Standard | 1.9 V | 80 A | 250 µA | 600 V | 3.15 nF | 1.9V @ 15V, 50A | 80 | 沟渠现场停车 | 有 | 3.15 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT200H60G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 12 | SP6 | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 微芯片技术 | APTGT200 | 活跃 | 600 V | Details | 600 V | 625 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 290 A | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 625 W | 全桥 | 625 | 625 W | Standard | 600 V | 290 A | 250 µA | 600 V | 12.3 nF | 1.9V @ 15V, 200A | 290 | 沟渠现场停车 | 无 | 12.3 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT200SK120G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 5 | SP6 | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 微芯片技术 | APTGT200 | 活跃 | 1.2 kV | Details | 1.2 kV | 890 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 280 A | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 890 W | Single | Single | 890 W | Standard | 1.2 kV | 280 A | 350 µA | 1200 V | 14 nF | 2.1V @ 15V, 200A | 280 | 沟渠现场停车 | 无 | 14 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT225A170G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 7 | SP6 | 2 V | 340 A | 600 nA | 微芯片技术 | APTGT225 | 活跃 | 1.7 kV | Details | 1.7 kV | 1.25 kW | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 340 A | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 1.25 kW | Dual | Dual | 1250 W | Standard | 1.7 kV | 340 A | 500 µA | 1700 V | 20 nF | 2.4V @ 15V, 225A | 340 | 沟渠现场停车 | 无 | 20 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF300R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2563 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 52 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 7 | SILICON | 2.45V | 2 | -40°C~125°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | 2 Independent | Dual | 1.45kW | ISOLATED | 1450W | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 404A | 3mA | 1700V | 400 ns | 2.45V @ 15V, 300A | 1200 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 27nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ150A120TG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | NO | SP4 | 10 | SILICON | 1200 V | 750 W | - 40 C | 2.05 V | 250 A | + 125 C | 20 V | 240 nA | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 微芯片技术 | 250 A | APTGLQ150 | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 79 ns | -40 °C | 414 ns | 175 °C | 有 | APTGLQ150A120TG | RECTANGULAR | 2 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.73 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | UPPER | UNSPECIFIED | compliant | R-XUFM-X10 | Dual | ISOLATED | 750 W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 100 µA | 1200 V | 750 W | 2.4V @ 15V, 150A | 250 A | 沟渠现场停车 | 1200 V | 有 | 20 V | 8.8 nF @ 25 V | 2.4 V | 6.3 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS200R07N3E4RBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2473 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 35 | SILICON | FS200R07N3E4RBOSA1 | 1.55V | 650V | 6 | 340 ns | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | 三相逆变器 | 600W | 150 ns | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 650V | 200A | 1mA | 210 ns | 1.95V @ 15V, 200A | 150°C | 200A | 450 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 13nF @ 25V | 17.5mm | 符合RoHS标准 | 含铅 |
APTGT300A120G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGL90A120T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF500R17KE4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,956.338152
APTGT150DU120TG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT75TDU60PG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT150H120G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
DF600R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,838.263737
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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Microchip Technology
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分类:Transistors - IGBTs - Modules
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