注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2521.470646
10
¥2378.745893
100
¥2244.099902
500
¥2117.075379
1000
¥1997.240923
Infineon Technologies DF600R12IP4DBOSA1
- 收藏
- 对比
DF600R12IP4DBOSA1
1211-DF600R12IP4DBOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

IGBT MOD 1200V 600A 3350W
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DF600R12IP4DBOSA1详情
Infineon Technologies DF600R12IP4DBOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
10
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~150°C
系列
PrimePack™2
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XUFM-X8
资历状况
不合格
配置
Single
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
3350W
晶体管应用
电源控制
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
600A
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
370 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.05V @ 15V, 600A
关断时间-标准值(toff)
1350 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
37nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
DF600R12IP4DBOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。